Infineon BSZ110N08NS5ATMA1

Infineon BSZ110N08NS5ATMA1 – Описание и технические характеристики

Описание

BSZ110N08NS5ATMA1 – это N-канальный MOSFET транзистор от Infineon Technologies, выполненный по технологии OptiMOS™ 5. Предназначен для эффективного управления мощностью в низковольтных приложениях, таких как:

• DC-DC преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Моторные драйверы
• Синхронное выпрямление

Ключевые преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on))
• Высокая эффективность и малые потери
• Быстрое переключение
• Оптимизирован для работы с напряжением до 80 В

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ 5 |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 80 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 110 А (при 25°C) |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 1.1 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение затвора (V_GS) | ±20 В |
| Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2.1 – 4 В |
| Мощность рассеяния (P_D) | 333 Вт (при 25°C) |
| Корпус | PG-TSDSON-8 (5x6 мм, PowerSSO-8) |
| Температура хранения | от -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги Infineon (OptiMOS 5):

• BSZ110N08NS5 (тот же чип, другой корпус)
• BSZ110N08NS5 G (версия с улучшенными параметрами)
• BSZ096N08NS5 (аналог с R_DS(on) = 0.96 мОм)

Аналоги от других производителей:

• Vishay SiR110DP (аналог с похожими параметрами)
• ON Semiconductor NTMFS5H810NL (альтернативный MOSFET 80 В)
• STMicroelectronics STL110N8F7 (сопоставимые характеристики)

Рекомендуемые замены (проверять распиновку!):

• IRLR110N8PbF (Infineon/International Rectifier)
• AUIRFS8409-7P (Vishay)

Применение

• Силовые модули и драйверы
• Автомобильная электроника (48 В системы)
• Серверные и промышленные БП
• Инверторы и солнечные контроллеры

Если нужны более точные параметры для замены, уточняйте datasheet конкретного аналога!