Infineon BSZ340N08NS3G

Отличный выбор! BSZ340N08NS3G — это высокоэффективный N-канальный MOSFET в компактном корпусе, разработанный Infineon для современных требовательных приложений.

Полное описание

Infineon BSZ340N08NS3G — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Ключевая особенность этого семейства — исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при минимальном заряде затвора (Qg). Это делает транзистор идеальным для приложений, где на первом месте стоит высокая энергоэффективность и минимизация потерь.

Основные сферы применения:

• Синхронное выпряление в импульсных источниках питания (SMPS) для серверов, телекоммуникаций и промышленного оборудования.
• Цепи вторичной стороны в DC-DC преобразователях (низковольтные шины: 5V, 12V).
• Модули управления питанием (VRM) для процессоров и памяти.
• Высокочастотные инверторы и преобразователи.
• Системы управления батареями (BMS).
• Моторные приводы малой мощности.

Ключевое преимущество: Оптимальный баланс между низкими проводимыми потерями (благодаря низкому RDS(on)) и низкими динамическими потерями (благодаря малому Qg), что позволяет работать на высоких частотах переключения без значительного перегрева.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | SuperSO8 (PG-TSDSON-8) | Компактный, с термопадой для отвода тепла | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 80 В | | | Непрерывный ток стока (ID) | 100 А (при Tc=25°C) | 70 А (при Tc=100°C) | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | < 3.4 мОм (макс.) при Vgs=10 В | Типовое значение ~2.7 мОм | | Заряд затвора (Qg) | ~32 нКл (тип.) при Vgs=10 В | Низкое значение для быстрого переключения | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 - 3.0 В | | | Макс. мощность рассеяния (PD) | 2.5 Вт | Зависит от условий теплоотвода |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот компонент может поставляться под разными маркировками в зависимости от упаковки и поставщика. Основной парт-номер:

• BSZ340N08NS3GATMA1 — полный номер для заказа, обычно указывающий на стандартную упаковку (катушка/рулон).

Прямые аналоги и совместимые модели (от Infineon и других производителей):

1. От Infineon (технология OptiMOS 5/6):

• BSZ350N08NS3G / BSZ360N08NS3G — младшие/старшие модели в том же семействе с чуть более высоким/низким RDS(on). Часто взаимозаменяемы в зависимости от требований к току.
• IPT020N08N5 / IPT015N08N5 — аналоги из линейки OptiMOS 5 в корпусе PQFN 8x8, с лучшим теплоотводом, но другими габаритами.
• IAUC100N08S5N015 — аналог из семейства OptiMOS 6 (более новое), обладает еще лучшими характеристиками (ниже RDS(on)).

2. От других ведущих производителей (функционально совместимые аналоги):

• Vishay Siliconix: SiR340DP — очень популярный и распространенный аналог в корпусе PowerPAK 8x8 с близкими параметрами.
• ON Semiconductor: FDMS86250 (в корпусе PQFN 5x6) или NTMFS5C430N.
• STMicroelectronics: STL320N8F7.
• Alpha & Omega Semiconductor: AONR21357.

Важные замечания по замене и применению

1. Не абсолютная совместимость: Даже при схожих электрических характеристиках (VDS, ID, RDS(on)) обязательно нужно проверять:
   • Распиновку (Pinout) корпуса SuperSO8/PowerPAK и др.
   • Динамические характеристики (Qg, Ciss, Coss, Crss), которые критичны для работы на высокой частоте.
   • Рекомендации по пайке (температурный профиль), особенно для корпусов с термопадой.
2. Тепловой режим: Заявленный ток 100А достижим только при идеальном охлаждении кристалла. В реальных условиях максимальный непрерывный ток определяется эффективностью теплоотвода (радиатором, площадью PCB-полигона).
3. Паразитная индуктивность: При работе в цепях с высоким di/dt (импульсные преобразователи) критически важна минимальная паразитная индуктивность монтажа. Необходимо использовать рекомендации из даташита по разводке печатной платы.

Вывод: BSZ340N08NS3G — это современный, высокопроизводительный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для эффективных низковольтных преобразователей. При замене аналогом всегда требуется внимательное изучение даташитов и, желательно, тестирование в реальной схеме.