Infineon DD89N14K

Infineon DD89N14K – Описание и технические характеристики

Описание

Infineon DD89N14K – это высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для мощных импульсных и линейных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on) и высокой эффективностью, что делает его пригодным для использования в:

• Импульсных источниках питания (SMPS)
• DC-DC преобразователях
• Моторных драйверах
• Инверторах
• Системах управления энергией

Корпус TO-252 (DPAK) обеспечивает хороший теплоотвод и удобство монтажа на печатную плату.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 140 В |
| Макс. ток стока (ID при 25°C) | 89 А |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 360 А |
| Сопротивление RDS(on) (при VGS=10 В) | 3.9 мОм |
| Пороговое напряжение (VGS(th)) | 3–5 В |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 200 Вт |
| Тип корпуса | TO-252 (DPAK) |
| Температура хранения/работы | -55°C до +175°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели)

• Infineon IPD90N04S4-04 (менее мощный, но с похожими параметрами)
• STMicroelectronics STP80NF14 (альтернатива с близкими характеристиками)
• Vishay SUP85N10-14 (аналог с похожими VDS и током)
• IR (Infineon) IRF1404 (сопоставимый MOSFET)

Похожие модели Infineon

• DD100N14K (более мощная версия)
• DD60N14K (менее мощная версия)
• IPD90N04S4 (альтернатива в другом корпусе)

Примечания

• При замене на аналог важно учитывать напряжение VDS, ток ID и RDS(on).
• Для высокочастотных применений рекомендуется проверять емкости (Ciss, Coss, Crss).
• Указанные аналоги могут отличаться по корпусу, поэтому перед заменой проверяйте разводку выводов.

Если вам нужна более точная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частота, температура, нагрузка).