Infineon FF1200R12KE3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для модуля IGBT Infineon FF1200R12KE3.

Общее описание

Infineon FF1200R12KE3 — это высокомощный IGBT-модуль второго поколения (TrenchStop/IGBT2), предназначенный для промышленных приводов среднего и высокого напряжения, мощных инверторов, тяговых преобразователей и систем возобновляемой энергетики.

Этот модуль представляет собой полумостовую топологию (Half-Bridge или 2-in-1), что означает, что в одном корпусе интегрированы два силовых ключа (верхний и нижний) с изолированным основанием. Он сочетает в себе высокую эффективность, надежность и простоту монтажа в силовых сборках.

Ключевые особенности:

• Высокая мощность: Номинальный ток 1200 А при 25°C, напряжение коллектор-эмиттер 1200 В.
• Низкие потери: Технология TrenchStop обеспечивает низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce_sat) и высокую скорость переключения, что снижает коммутационные и проводящие потери.
• Высокая перегрузочная способность: Способен выдерживать значительные токи перегрузки (до 2400 А).
• Электрическая изоляция: Медяная основа (Cu baseplate) изолирована от силовых выводов (изоляционное напряжение 4000 В), что позволяет монтировать несколько модулей на общий радиатор без изолирующих прокладок.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры корпуса.
• Классическая и надежная конструкция: Проверенная временем модульная технология с паяными соединениями.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1200 В | | | Номинальный ток коллектора (Ic @ 25°C) | 1200 А | При Tc=25°C | | Номинальный ток коллектора (Ic @ 80°C) | 800 А | При Tc=80°C | | Максимальный импульсный ток (Icm) | 2400 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | ~2.35 В | Тип., при Ic=1200A, Vge=15V | | Падение напряжения на внутреннем диоде (Vf) | ~1.65 В | Тип., при If=1200A | | Энергия включения (Eon) | ~850 мДж | Тип., при Ic=1200A, Vcc=600V | | Энергия выключения (Eoff) | ~450 мДж | Тип., при Ic=1200A, Vcc=600V | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.015 К/Вт | На один IGBT | | Максимальная температура перехода (Tvj max) | +150 °C | | | Температура хранения (Tstg) | от -40 до +125 °C | | | Изоляционное напряжение (Visol) | 4000 В (эфф.) | Частота 50 Гц, 1 мин. | | Вес | ~ 600 г | | | Тип корпуса | 62 мм (EconoDUAL™ 3) | Стандартный промышленный корпус | | Топология | Полумост (2-in-1) | Включает антипараллельные диоды | | Встроенный датчик температуры | NTC-термистор | Сопротивление 10 кОм при 25°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Модуль может иметь различные парт-номера в зависимости от упаковки, маркировки или версии.

• Основной номер: FF1200R12KE3
• Альтернативное/полное написание: FF 1200 R 12 KE3
  • FF: Серия (EconoDUAL)
  • 1200: Ток 1200A
  • R: Корпус с изолированным основанием
  • 12: Напряжение 1200V
  • KE3: Поколение IGBT2 и уровень характеристик
• Парт-номер для заказа (Ordering Code): FF1200R12KE3_B11 (где B11 может обозначать версию/ревизию).

Совместимые и конкурирующие модели (Cross-Reference)

Совместимость определяется по напряжению, току, топологии и, что критически важно, по механическому корпусу (62mm EconoDUAL 3). Модули с одинаковым корпусом часто взаимозаменяемы на уровне платы/радиатора.

Прямые аналоги от других производителей (на замену):

1. Semikron:
   • SKiiP 1220GB12E4 (более современный, с пресс-фит контактами)
   • SKM1200GB12E4 (классический модуль в похожем корпусе)
2. Mitsubishi Electric:
   • CM1200DUC-24S (1200A / 1200V, полумост)
   • CM1200DU-24NF (аналогичные параметры)
3. Fuji Electric:
   • 2MBI1200VXA-120-50 (1200A / 1200V, полумост)
4. Hitachi (ныне входит в Mitsubishi):
   • MBN1200E33 (Аналогичный класс)

Модели из более новых поколений Infineon (для модернизации, могут требовать адаптации драйверов):

• FF1200R12IE4 — Четвертое поколение IGBT4. Более современный и эффективный аналог. Имеет меньшие потери, но, как правило, механически совместим (EconoDUAL 3). Это основная рекомендуемая замена при модернизации.
• FF1200R12IP4 — Поколение IGBT4 в корпусе EconoPIM™ (может иметь отличия в компоновке выводов).
• Модули серии HPn (например, из семейства HPn2) — Следующее поколение после E4, с еще лучшими характеристиками.

Важные замечания при замене:

1. Проверьте распиновку (pinout): Даже у модулей в одном корпусе расположение управляющих выводов (Gate, Emitter), NTC и силовых клемм может отличаться. Необходимо свериться с даташитом.
2. Параметры драйверов: Более новые поколения (IE4, IP4) часто имеют другие рекомендации по напряжению затвора, сопротивлению в цепи затвора (Rg) и требуют более быстрых драйверов для реализации своих преимуществ.
3. Характеристики внутреннего диода: У новых поколений диоды могут быть более "жесткими" (высокий Vf) или более "мягкими" (низкое Qrr), что влияет на выбор снабберных цепей.
4. Тепловые характеристики: Rth(j-c) и максимальная рабочая температура могут различаться, что требует пересчета системы охлаждения.

Вывод: Infineon FF1200R12KE3 — это проверенный, надежный "рабочая лошадка" для мощных преобразователей. При поиске замены или аналога в первую очередь стоит рассматривать Infineon FF1200R12IE4 как более современный и эффективный вариант с высокой степенью механической совместимости, а также проверять модели других вендоров в корпусе 62mm EconoDUAL 3. Всегда используйте актуальные даташиты для проведения окончательной верификации замены.