Infineon FF150R12YT3

Артикул: 562998

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon FF150R12YT3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для модуля IGBT Infineon FF150R12YT3.

Общее описание

Infineon FF150R12YT3 — это двухключевой IGBT-модуль (полумост) третьего поколения (TrenchStop IGBT3) в популярном корпусе EconoDUAL™ 3. Он предназначен для применения в мощных промышленных инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП) и системах возобновляемой энергии.

Ключевая особенность: Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие динамические потери и высокую перегрузочную способность, благодаря передовой технологии TrenchStop и диодам с мягким восстановлением Emitter Controlled.

Основные технические характеристики

1. Характеристики IGBT:

Коллектор-Эмиттер напряжение (Vces): 1200 В
Номинальный ток коллектора (Ic @ 80°C): 150 А
Ток коллектора макс. (Ic @ 25°C): 300 А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): тип. 1.85 В (при Ic=150A, Vge=15В)
Суммарные коммутационные потери (Ets): тип. 48 мДж (на ключ, при условиях datasheet)

2. Характеристики антипараллельного диода:

Прямой ток (If): 150 А
Прямое напряжение (Vf): тип. 1.7 В (при If=150A)
Восстановительный заряд (Qrr): тип. 3.8 мкКл (способствует низким коммутационным помехам)

3. Управление:

Рекомендуемое напряжение затвора (Vge): +15 В ±1.5 В / -15 В (для включения/выключения)
Пороговое напряжение затвора (Vge(th)): 5.3 В (тип.)
Заряд затвора (Qg): 900 нКл (тип.)

4. Термические характеристики:

Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0.12 К/Вт (на ключ)
Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 830 Вт (при Tc=80°C)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто используют свои внутренние обозначения. FF150R12YT3 — это базовый номер инфракон. Также существуют:

FF150R12YT3P_B2 — Вероятно, обозначение для упаковки (лоток/палка) или конкретной производственной ревизии.
SP001589157 — Уникальный идентификатор Infineon (например, для поиска в ERP-системах).

Совместимые и конкурирующие модели (прямые аналоги)

Прямые аналоги — это модули с точно такой же конфигурацией (полумост), номиналами (1200В/150А), корпусом (EconoDUAL 3) и схожей цоколевкой.

От других производителей:

SEMIKRON: SKM150GB12T4 (очень близкий аналог по характеристикам и корпусу).
Fuji Electric: 2MBI150VXB-120-50.
Mitsubishi Electric: CM150DY-12T (более старая серия, требует проверки механики и цоколевки).
Powerex (Mitsubishi): CM150DY-12T.
Hitachi: Не имеет прямого аналога в этой линейке.

От Infineon (другие серии/поколения):

FF150R12KE3 / FF150R12KE3G — Более старое второе поколение IGBT (EconoDUAL 3). Внимание: Хотя корпус и номинал одинаковы, электрические и динамические характеристики отличаются. Прямая замена возможна, но может потребовать корректировки драйвера и системы охлаждения из-за другого Vce(sat) и Qg.
FF150R12W3T4B11BOMA1 — Модуль с дополнительными функциями (токовый датчик, NTC). Механически совместим, но имеет другую распиновку.

Важные замечания при замене и использовании:

Не является 100% дроп-ин заменой для аналогов других брендов. Всегда необходимо сверять:
- Распиновку (pinout) контактов управления (затвор, эмиттер) и силовых выводов.
- Габаритные размеры и расположение монтажных отверстий.
- Рекомендуемые параметры драйвера (сопротивление в цепи затвора Rg, напряжение Vge).
Поколения IGBT: Замена модуля 3-го поколения (YT3) на модуль 2-го поколения (KE3) или наоборот, даже в рамках одного производителя, требует пересчета потерь, проверки температурного режима и настройки драйвера (из-за разного Qg и динамических характеристик).
Обязательно используйте термопасту и соблюдайте момент затяжки винтов (указан в даташите) для обеспечения хорошего теплового контакта.
Для подбора аналога всегда в первую очередь ориентируйтесь на конфигурацию, напряжение, ток и корпус.

Рекомендация: Перед заменой всегда изучайте официальные даташиты (Datasheet) обоих модулей — заменяемого и нового.