Infineon FF650R17IE4P

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля Infineon FF650R17IE4P.

Общее описание

Infineon FF650R17IE4P — это высокомощный двухуровневый IGBT-модуль (Trenchstop 7) в классическом корпусе 62 мм (также известном как EconoDUAL™ 3). Он предназначен для применения в промышленных приводах среднего и высокого напряжения, мощных ИБП, тяговых преобразователях и системах возобновляемой энергетики.

Модуль представляет собой полумостовую конфигурацию (2-in-1), содержащую два IGBT и два обратных диода (антипараллельные диоды) на одной подложке. Это позволяет строить компактные и эффективные трехфазные инверторы, используя три таких модуля.

Ключевые особенности:

• Высокая мощность: Номинальный ток 650А при напряжении 1700В делает его решением для тяжелых условий эксплуатации.
• Технология Trenchstop 7: Обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями проводимости (Vce_sat) и коммутационными потерями, что повышает общий КПД системы.
• Низкая индуктивность силовой петли: Конструкция корпуса минимизирует паразитную индуктивность, что снижает перенапряжения при коммутации и повышает надежность.
• Изолированный корпус: Основание модуля электрически изолировано от теплоотвода (за исключением версий с суффиксом -K...), что упрощает монтаж и систему охлаждения.
• Встроенный NTC-термистор: Для мониторинга температуры основания модуля.
• Высокая перегрузочная способность: Способен выдерживать значительные токи перегрузки в течение короткого времени.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 2-in-1 (полумост) | Два IGBT с антипараллельными диодами | | Корпус | 62 мм (EconoDUAL™ 3) | | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1700 В | Максимальное блокирующее напряжение | | Номинальный ток (при T_vj=90°C) | I_C = 650 А | Для каждого IGBT | | Ток импульсной перегрузки | I_CM = 1300 А | Максимальный пиковый ток (обычно ≤1 мс) | | Напряжение насыщения IGBT | V_CE(sat) ~ 2.15 В (тип.) | При номинальном токе, зависит от температуры | | Прямое падение напряжения диода | V_FM ~ 1.7 В (тип.) | При номинальном токе | | Температура перехода | T_vj max = 175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Термическое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) ~ 0.015 К/Вт (на IGBT) | Суммарное для пары IGBT+диод ~0.009 К/Вт | | Встроенная термозащита | NTC-термистор | Сопротивление: 2.5 кОм при 25°C | | Вес | ~ 490 г | | | Изоляция (основание-монтаж) | V_iso = 4000 В_RMS / 1 мин. | Для стандартной изолированной версии |

Примечание: Все значения взяты из официального даташита. Для проектирования необходимо использовать полную документацию.

Парт-номера (Part Numbers) и варианты

Базовый парт-номер FF650R17IE4P может иметь суффиксы, указывающие на особенности:

• FF650R17IE4P — стандартная изолированная версия.
• FF650R17IE4PBOSA1 — вариант с определенной партией/упаковкой. Основные электрические параметры идентичны.
• Версии с суффиксом -K... (например, -K122) имеют неизолированное основание (медная подложка находится под потенциалом силовых выводов). Это требует изоляции при монтаже на радиатор, но обеспечивает лучшее тепловое сопротивление.

Важно: При заказе и замене всегда проверяйте полный парт-номер, включая суффиксы.

Совместимые и аналогичные модели

При поиске замены или аналога необходимо учитывать конфигурацию (2-in-1), корпус (62мм), напряжение (1700В) и ток (650А).

1. Прямые аналоги от Infineon (в корпусе 62мм):

• FF650R17IE4 — предыдущая версия на технологии Trenchstop 6. Имеет схожие номиналы, но несколько более высокие потери. Часто является функционально совместимой заменой, но требует проверки потерь и теплового расчета.
• FF650R17ME4 — более современный модуль серии M7 (анонсирован как преемник серии IЕ4). Имеет улучшенные динамические характеристики и может быть рекомендован для новых разработок. Механически и электрически совместим по выводам.
• FZ650R17KE4 — модуль в корпусе 62мм с пресс-пакетом (Press-Fit), а не винтовыми клеммами. Не является механически совместимым без изменения способа монтажа шин.

2. Аналоги от других производителей (требуют тщательной проверки):

Аналоги в том же форм-факторе и с близкими параметрами предлагают другие ведущие производители. Полная механическая и электрическая совместимость не гарантируется, необходима сверка даташитов по:

• Геометрии корпуса и расположению отверстий.
• Распиновке силовых и управляющих выводов.
• Динамическим характеристикам (задержкам, dead-time).
• Рекомендуемым драйверам.

Примеры моделей для поиска:

• SEMIKRON: SKiM 659 GD17 E4 (серия SEMITOP® E1/E2, корпус может отличаться).
• Mitsubishi Electric: CM650DY-34S (серия LV100, корпус может отличаться).
• Fuji Electric: 2MBI650VN-170-50 (в корпусе 50мм, требует перерасчета).
• Hitachi: Модули серии H series.

3. Совместимость в системе:

• Драйверы Gate Driver: Требуется подбирать драйвер, рассчитанный на 1700В модули с соответствующими токами заряда/разряда затвора (Qg ~ 8.5 мкКл для FF650R17IE4P). Подходят платы от производителей (Concept, Powersem, CREE/Wolfspeed) или собственные разработки на базе чипов (например, от Silicon Labs, Avago/ Broadcom).
• Трехфазный инвертор: Для построения классического трехфазного инвертора требуется три одинаковых модуля FF650R17IE4P.

Рекомендация: Для замены в существующем оборудовании предпочтительнее использовать оригинальный модуль Infineon FF650R17IE4P или его прямое обновление FF650R17ME4. При переходе на другого производителя обязателен инженерный анализ и, возможно, адаптация системы управления.