Infineon FP10R12W1T3

Infineon FP10R12W1T3
Артикул: 563143

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon FP10R12W1T3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для интеллектуального силового модуля (IPM) Infineon FP10R12W1T3.

Общее описание

Infineon FP10R12W1T3 — это полностью интегрированный Intelligent Power Module (IPM), предназначенный для управления трехфазными двигателями в составе частотных преобразователей. Он сочетает в себе силовые компоненты (IGBT с быстрыми антипараллельными диодами) и схему управления в одном компактном корпусе, что упрощает проектирование и повышает надежность системы.

Ключевые особенности:

  • Высокая интеграция: В одном модуле находятся 6 IGBT-транзисторов с драйверами, схемами защиты (от короткого замыкания, перегрева, недо/перенапряжения питания драйверов) и схемой формирования "мертвого времени".
  • Низкие потери: Использование технологии Trenchstop 5 IGBT и диодов Emitter Controlled 5 (EC5) обеспечивает высокий КПД.
  • Компактность: Корпус Mini-DIP (DIP-26), не требующий изоляционной прокладки (встроенная керамическая подложка с прямой пайкой на плату).
  • Упрощенное охлаждение: Тепло отводится через нижнюю медную пластину, что позволяет использовать общий радиатор для нескольких модулей.
  • Встроенная защита: Наличие статусного сигнала FO (Fault Output), который информирует контроллер об аварийной ситуации (перегрев, короткое замыкание).

Основные области применения

  • Частотные преобразователи для управления двигателями в бытовой технике (кондиционеры, стиральные машины).
  • Промышленные приводы малой мощности.
  • Насосы, вентиляторы, компрессоры.
  • Сервоприводы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | Рабочее напряжение для IGBT | | Номинальный ток коллектора (IC @ 100°C) | 10 А | При температуре корпуса 100°C | | Максимамльный ток коллектора (ICM) | 20 А | Пиковый кратковременный ток (1 мс) | | Падение напряжения насыщения (VCE(sat)) | ~1.65 В (тип.) | При IC = 10A, определяет потери проводимости | | Падение напряжения на диоде (VF) | ~1.8 В (тип.) | Падение на встроенном обратном диоде | | Напряжение питания драйвера (VCC) | 15 В (рекоменд.) | Допустимый диапазон: 13.5 - 16.5 В | | "Мертвое время" (Dead Time) | 1.8 мкс (тип.) | Важная характеристика! Встроенная задержка для предотвращения сквозных токов. | | Время нарастания/спада (tr / tf) | ~0.25 / 0.15 мкс | Определяет динамические потери при переключении | | Тепловое сопротивление (переход-корпус), Rth(j-c) | 2.5 К/Вт | Для каждого IGBT/диода | | Температура перехода (Tj max) | 150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Температура корпуса (Tc) | -40 ... +125 °C | Рабочий диапазон | | Корпус | Mini-DIP (DIP-26) | Прямой монтаж на печатную плату (THT), встроенная электрическая изоляция (UL признано). | | Встроенная защита | Короткое замыкание (SC), Перегрев (OT), Низкое напряжение питания драйвера (UVLO) | Сигнал FO переходит в низкий уровень при срабатывании. |


Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Этот модуль является частью семейства FP10R12W1T3. Полный парт-номер может включать в себя суффиксы, указывающие на упаковку или версию, например: FP10R12W1T3BOMA1.

Прямые аналоги и совместимые модели от Infineon:

Модули в том же корпусе и с аналогичным номиналом, но с разными электрическими параметрами (время мертвой зоны, уровень защиты):

  • FP10R12W1T4 - Основной аналог. Ключевое отличие: встроенное "мертвое время" составляет 3.0 мкс (против 1.8 мкс у T3). Это важный параметр при замене.
  • FP10R12W1T7 - Более поздняя/оптимизированная версия.
  • FP15R12W1T3 - Аналог на 15А (более высокая нагрузочная способность).
  • FP5R12W1T3 - Аналог на (меньшая нагрузочная способность).

Функционально совместимые модели от других производителей:

Эти модули имеют схожий номинал (600В, ~10А), корпус DIP-24/26 и встроенные драйверы, но требуют тщательной проверки распиновки, "мертвого времени" и характеристик защиты перед прямой заменой.

  • Mitsubishi / Renesas: PS219-серия (например, PS21963-AT).
  • Fairchild / ON Semiconductor: FSB-серия (например, FSB50550).
  • STMicroelectronics: STGIP-серия (например, STGIPN3H60).
  • Fuji Electric: 6MBP-серия.

Важные замечания по совместимости и замене:

  1. Распиновка (Pinout): Это первое, что необходимо проверить. Даже модули в одинаковом корпусе DIP-26 могут иметь разное расположение ног.
  2. "Мертвое время" (Dead Time): Как указано выше, разница между T3 (1.8 мкс) и T4 (3.0 мкс) критична. Замена на модуль с меньшим временем может привести к сквозным токам и разрушению.
  3. Логика входов/выходов: Уровни управления (3.3В / 5В / 15В) и логика сигнала неисправности FO (активный низкий/высокий уровень) должны совпадать.
  4. Характеристики защиты: Пороги срабатывания защиты от перегрузки по току (SC) и перегрева (OT) могут отличаться.

Рекомендация: Всегда обращайтесь к официальным даташитам (Datasheet) обоих модулей (заменяемого и нового) для проведения полного сравнительного анализа перед заменой. Для FP10R12W1T3 актуальная документация доступна на официальном сайте Infineon.

Товары из этой же категории