Infineon HYS64T128021EDL-3S-B2

Infineon HYS64T128021EDL-3S-B2

Описание:
HYS64T128021EDL-3S-B2 — это синхронная динамическая оперативная память (SDRAM) от Infineon Technologies, предназначенная для использования в различных вычислительных системах, включая промышленные и встраиваемые решения. Чип обладает высокой скоростью передачи данных, низким энергопотреблением и надежностью, что делает его подходящим для требовательных приложений.

Технические характеристики:

• Тип памяти: SDRAM (Synchronous DRAM)
• Организация: 64Mbit (4M x 16bit)
• Тактовая частота: 166 MHz (PC133)
• Время доступа (tAC): 5.4 ns
• Напряжение питания: 3.3V ±0.3V
• Интерфейс: 54-контактный TSOP-II
• Тайминги (CL-RCD-RP): 3-3-3
• Температурный диапазон:
  • Коммерческий (0°C до +70°C)
  • Промышленный (-40°C до +85°C) (зависит от версии)
• Корпус: 400mil 54-pin TSOP-II (Type II, 400mil)

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги от Infineon:

• HYS64T128021EDL-3S-B (похожая версия, возможны отличия в корпусе)
• HYS64T128021EDL-6S-B (более низкая частота)
• HYB25D256160BT-5 (альтернатива, 256Mbit)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Micron MT48LC4M16A2TG-75 (4Mx16, 166MHz)
• Samsung K4S641632H-UC60 (64Mbit, 166MHz)
• NEC D4564163-A60 (аналог по скорости и организации)

Применение:

• Промышленные компьютеры
• Встраиваемые системы
• Сетевые устройства (маршрутизаторы, коммутаторы)
• Медицинское оборудование

Если вам нужен точный аналог для замены, рекомендуется сверить даташиты и проверить тайминги/напряжение.