Infineon IDV08E65D2

Infineon IDV08E65D2
Артикул: 563704

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IDV08E65D2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IDV08E65D2.

Общее описание

Infineon IDV08E65D2 — это N-канальный силовой MOSFET транзитор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ E6 (Enhanced Efficiency). Он предназначен для применения в импульсных источниках питания (SMPS), особенно там, где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевая особенность — низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при высокой рабочей температуре, что минимизирует проводимые потери. Транзистор оптимизирован для работы в жестком режиме переключения (Hard Switching) и резонансных схемах (LLC, ZVS). Корпус TO-252 (DPAK) делает его популярным для компактных и эффективных решений средней мощности.


Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Технология CoolMOS™ E6 | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Пластиковый, с теплоотводящей площадкой | | Структура | Superjunction | | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 В | Максимальное напряжение отключения | | Постоянный ток стока (ID) при 25°C | 8 А | При условии адекватного охлаждения | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.32 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 4 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~28 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Низкое значение упрощает управление. | | Входная емкость (Ciss) | ~950 пФ | | | Макс. температура перехода (TJ) | 175 °C | | | Класс энергоэффективности | Подходит для стандартов 80 PLUS (Gold, Platinum) | Благодаря низким потерям |

Ключевые преимущества:

  • Высокая эффективность: Низкие проводимые и динамические потери.
  • Высокая надежность: Высокий запас по напряжению (650В), стойкость к лавинным процессам.
  • Оптимизированное переключение: Хороший компромисс между скоростью переключения и уровнем EMI.
  • Улучшенная устойчивость к dv/dt: Важно для надежной работы в мостовых схемах.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Часто один и тот же компонент имеет разные маркировки в зависимости от дистрибьютора, упаковки или незначительных модификаций.

  • Основной номер производителя: IDV08E65D2
  • Полный Ordering Code: IDV08E65D2XTMA1
    • XT — обозначение корпуса TO-252 (DPAK).
    • MA1 — код ленты и катушки (обычно 2500 шт. в катушке).

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены необходимо учитывать не только электрические параметры, но и разводку выводов (pinout) корпуса.

1. Прямые аналоги от Infineon (технология CoolMOS™ E6):

  • IPP08E65D2Точный аналог в корпусе TO-220 FullPAK. Идентичные электрические параметры, другой корпус (больше, с металлической площадкой для радиатора).
  • IDV08E65D2 (в других корпусах) — например, в TO-262, но для DPAK это основной вариант.

2. Аналоги от других производителей (с близкими параметрами VDSS=600-650В, ID=7-10А, RDS(on) ~0.3-0.4 Ом):

  • STMicroelectronics:
    • STF8N65M2 (650V, 7.2A, 0.37 Ohm, TO-220FP) — MDmesh™ M2.
    • SDF8N65A (650V, 8A, 0.4 Ohm, DPAK) — Супер junction технология.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FCPF8N65 (650V, 8A, 0.37 Ohm, TO-220F) — Супер junction.
    • FCP8N60 (600V, 8A, 0.55 Ohm, TO-220) — Более старое решение, параметры хуже.
  • Power Integration (в составе их IC): Часто используют подобные MOSFET в своих решениях, но как отдельный компонент не поставляют.

3. Важные замечания по замене:

  • Всегда сверяйте datasheet! Перед заменой необходимо сравнить ключевые параметры: VDSS, ID, RDS(on), Qg, VGS(th) и разводку выводов (Pinout).
  • Корпус: DPAK (TO-252), TO-220, TO-220F (FullPAK) — имеют разные размеры и монтажные особенности.
  • Технология: CoolMOS™ E6 от Infineon обладает особыми динамическими характеристиками. Прямая замена на аналог с похожими статическими параметрами может привести к изменению поведения в динамике (скорость переключения, потери, EMI).

Типичные области применения

  • Импульсные источники питания (SMPS): PFC-каскады, основные силовые ключи.
  • Резонансные преобразователи (LLC-полумост, полный мост).
  • Обратноходовые (Flyback) преобразователи мощностью до 150-200 Вт.
  • Источники питания для ПК, серверов, бытовой электроники, промышленного оборудования.
  • Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC).

Где искать информацию:

  1. Официальный Datasheet: На сайте Infineon или авторитетных электронных порталов (Octopart, Mouser, DigiKey).
  2. Поиск аналогов: На сайтах производителей (ST, ON Semi, Nexperia) через инструменты cross-reference или на порталах типа ALLDATASHEET, Elcodis.

Товары из этой же категории