Infineon IGW50N65F5

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для транзистора Infineon IGW50N65F5.

Описание

IGW50N65F5 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании Infineon Technologies, выполненный в корпусе TO-247. Этот компонент принадлежит к поколению Fieldstop 5 (T5), которое характеризуется оптимальным балансом между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой стойкостью к короткому замыканию.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология Fieldstop 5 обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, что повышает общий КПД системы.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинному пробою и короткому замыканию (SCSOA до 5 мкс), что делает его устойчивым к перегрузкам.
• Позитивное температурное коэффициент: Напряжение насыщения Vce(sat) имеет положительный температурный коэффициент, что облегчает параллельное соединение нескольких транзисторов для увеличения общей мощности.
• Быстрое переключение: Оптимизирован для работы на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Низкие потери: Сочетание низкого напряжения насыщения и быстрого переключения минимизирует тепловыделение.

Основные области применения:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы плавного пуска (софт-стартеры)
• Источники сварочного тока
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления электроприводами (приводы двигателей)
• Системы на возобновляемой энергии (солнечные инверторы)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | 650 | В | V_CES | | Постоянный ток коллектора (при T=100°C) | 50 | А | I_C @ 100°C | | Пиковый ток коллектора | 100 | А | I_CM | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 (тип.) | В | V_CE(sat) @ I_C=50A, V_GE=15V | | Пороговое напряжение затвора | 5.3 (тип.) | В | V_GE(th) | | Энергия включения | 4.0 (тип.) | мДж | E_on | | Энергия выключения | 1.4 (тип.) | мДж | E_off | | Сопротивление переход-корпус | 0.25 | °C/Вт | R_thJC | | Температура перехода | -55 до +175 | °C | T_J | | Заряд затвора | 140 (тип.) | нКл | Q_g | | Время включения | 26 (тип.) | нс | t_d(on) / t_r | | Время выключения | 260 (тип.) | нс | t_d(off) / t_f | | Корпус | TO-247 | | |

Парт-номера (Part Numbers)

Официальное полное название производителя обычно включает в себя дополнительные суффиксы, указывающие на корпус и упаковку:

• IGW50N65F5 (базовое название)
• IGW50N65F5XKSA1 — стандартная поставка в трубке (tube) или трейе (tray).

При заказе у дистрибьюторов чаще всего используется базовая часть IGW50N65F5.

Совместимые и Аналогичные Модели

Важно понимать, что прямой 100% функциональный аналог (pin-to-pin compatible replacement) подбирается с учетом всех параметров и рабочей точки вашей схемы. Представленные ниже модели являются близкими аналогами от других производителей или из других линейк Infineon, но перед заменой обязательно необходимо свериться с даташитами.

Аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STGW50N65F5 (прямой аналог из серии F5, один из самых близких вариантов).
• ON Semiconductor (Fairchild): FGH50N65SMD (серия MDmesh M5, требует проверки динамических характеристик).
• Vishay: IGW50N65H5 (технология HiPerFET, требует проверки порогового напряжения и заряда затвора).

Совместимые модели из других линеек Infineon (для модернизации или замены):

• Более новая/эффективная версия: IKW50N65EH5 (из поколения TRENCHSTOP 5, обладает еще более низкими потерями переключения).
• Аналог в корпусе TO-3PF: IGP50N65F5 (имеет схожие электрические параметры, но другой корпус для монтажа).
• Аналог в корпусе TO-LL: IGL50N65F5 (низкопрофильный корпус).

Важное примечание по совместимости: При замене всегда обращайте внимание на:

1. Напряжение V_CES: Должно быть не меньше.
2. Ток I_C: Рекомендуется брать с запасом.
3. Характеристики переключения (Q_g, E_on/_off): Сильно влияют на драйвер и работу схемы.
4. Пороговое напряжение затвора V_GE(th): Должно быть совместимо с драйвером.

Перед любой заменой настоятельно рекомендуется провести тестирование в реальной схеме.