Infineon IGZ100N65H5XKSA1

Отличный выбор! Infineon IGZ100N65H5XKSA1 — это высоковольтный силовой транзистор, один из флагманов в линейке CoolMOS™ P7 от Infineon. Он сочетает в себе высочайшую эффективность, надежность и предназначен для самых требовательных приложений.

Описание и ключевые особенности

IGZ100N65H5XKSA1 — это N-канальный MOSFET на напряжение 650 В с низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)).

Основное назначение: Применяется в схемах, где критичны высокий КПД, надежность и компактность.

• Импульсные источники питания (SMPS): Корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и обратноходовые топологии.
• Инверторы и приводы: Солнечные инверторы, драйверы двигателей, ИБП (источники бесперебойного питания).
• Промышленное оборудование: Сварочные аппараты, источники питания для серверов и телекоммуникаций.

Технология CoolMOS™ P7: Седьмое поколение суперджанкшн MOSFET от Infineon. Ключевые преимущества этой серии:

• Рекордно низкие динамические потери: Оптимизирована структура прибора для минимизации потерь на переключение (Eoss, Qg, Qrr), что критично для высокочастотных преобразователей.
• Высокая стабильность и надежность: Улучшенная устойчивость к динамическому включению (dv/dt), отличная способность к лавинному пробою (Avalanche Ruggedness).
• Высокая плотность мощности: Позволяет создавать более компактные и мощные решения за счет снижения тепловыделения.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | Технология CoolMOS™ P7 | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный 3-выводной корпус | | Напряжение сток-исток (VDSS) | 650 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.100 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 10 А | | Максимальный постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 21 А | При температуре корпуса 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 84 А | — | | Заряд затвора (Qg) | ~36 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Энергия переключения (Eoss) | ~18.5 мкДж (тип.) | Очень низкое значение, снижает потери | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.5 - 4.5 В | Типичное 4.0 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Диапазон рабочей температуры (Tj) | от -55°C до +150°C | — |

Важные динамические параметры:

• Время включения (ton): ~12 нс
• Время выключения (toff): ~36 нс
• Заряд обратного восстановления диода (Qrr): ~1.3 мкКл (очень низкий, что важно для PFC).

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Этот транзистор может иметь различные парт-номера в зависимости от упаковки, маркировки или логистических вариантов. Основной номер — IGZ100N65H5.

Аналоги и совместимые модели от других производителей (прямые или близкие замены):

При поиске аналога необходимо сверять ВСЕ ключевые параметры: VDS, RDS(on), Qg, корпус и, желательно, динамические характеристики.

1. Прямые аналоги (с максимально близкими параметрами):

• STMicroelectronics: Модели из серии MDmesh™ DM6 (например, STW65N65DM6). Серия также оптимизирована на низкие потери.
• ON Semiconductor: Модели из серии SuperFET® III (например, FCP65N60). Мощные MOSFET с хорошим балансом параметров.
• Toshiba: Модели из серии DTMOSVI (например, TK65N60W).

2. Модели для кросс-замены (внимательно проверять распиновку и параметры!):

• Infineon CoolMOS™ C7 / CFD7: Более новые поколения, могут превосходить по параметрам, но часто совместимы по выводам (например, IPA60R099C7). Важно: у некоторых моделей C7/CFD7 другой тип диода.
• Старые поколения Infineon: CoolMOS™ P6 (например, IPP60R099P6), CoolMOS™ P5. Обычно имеют более высокие потери.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS): Модели серии AOT (например, AOT65N60).
• Microsemi / Microchip: Модели из различных высоковольтных линеек.

3. Ключевые параметры для поиска аналога:

• Напряжение: 600В или 650В.
• Ток: от 20А и выше.
• Сопротивление: RDS(on) ~ 0.100 Ом.
• Корпус: TO-247.
• Технология: Superjunction / MDmesh / SuperFET.

Важное предупреждение: Перед заменой всегда:

1. Сравнивайте Datasheet оригинальной и заменяемой детали.
2. Обращайте внимание на распиновку (pinout) корпуса TO-247, она может отличаться!
3. Учитывайте параметры внутреннего диода (Qrr, trr) и динамические характеристики, особенно в высокочастотных схемах (PFC, LLC).
4. Проверяйте рекомендации по схеме драйвера затвора.

Вывод: Infineon IGZ100N65H5XKSA1 — это высокотехнологичный и надежный компонент для построения эффективных силовых преобразователей. Его замена должна проводиться с тщательным анализом технической документации.