Infineon IKFW60N60DH3E

Отличный выбор! IKFW60N60DH3E — это мощный и надежный транзистор от Infineon, относящийся к современному семейству CoolMOS™ P6 600V. Он оптимизирован для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Краткое описание

IKFW60N60DH3E — это N-канальный MOSFET-транзистор на напряжение 600 В, разработанный с использованием передовой суперпереходной (Superjunction) технологии CoolMOS™ P6. Его ключевая особенность — исключительно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при высокой скорости переключения, что приводит к минимальным потерям на проводимость и переключение.

Основные преимущества и области применения:

• Высокая энергоэффективность: Низкие динамические и статические потери.
• Высокая надежность: Улучшенная устойчивость к перегрузкам и качество.
• Оптимизирован для жесткого переключения (Hard Switching): Идеален для топологий, где ключ переключается при наличии тока и напряжения (например, PFC, двухтактные схемы).
• Компактные решения: Позволяет уменьшить размеры радиаторов и всей системы.
• Типичные применения:
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в непрерывном режиме тока (CCM).
  • Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникаций, промышленного оборудования.
  • Инверторы и драйверы для двигателей.
  • Источники сварочного оборудования.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Superjunction MOSFET (CoolMOS™ P6) | | | Корпус | TO-247 | Классический мощный корпус с тремя выводами. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.060 Ом (макс.) при V_GS=10 В, I_D=30 А | Главное достоинство. Очень низкое значение, минимизирует потери на нагрев. | | Постоянный ток стока (I_D) при T_C=25°C | 60 А | Максимальный ток в непрерывном режиме (при идеальном охлаждении). | | Импульсный ток стока (I_DM) | 240 А | Кратковременная перегрузочная способность. | | Мощность рассеяния (P_tot) | 555 Вт | При T_C=25°C. Реальная рассеиваемая мощность зависит от условий охлаждения. | | Заряд затвора (Q_g) | 150 нКл (тип.) | Параметр, критичный для расчета драйвера затвора. Умеренное значение. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный диапазон для MOSFET. | | Время нарастания / спада (t_r / t_f) | ~20 нс / ~10 нс (тип.) | Высокая скорость переключения. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах)

Эти модели имеют идентичную или очень близкую кристаллическую структуру (чип), но разный корпус.

• IPW60R060P7XKSA1 / IPW60R060P7 — аналог в корпусе TO-247 3-pin (функционально тот же самый транзистор, возможно, с незначительными отличиями в маркировке или документации).
• IPW60R060P7S — аналог в корпусе TO-247 4-pin (Source Sense). Четвертый вывод (Kelvin Source) позволяет более точно управлять затвором, снижая влияние паразитной индуктивности, что критично для ВЧ-схем.

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей

При поиске замены необходимо сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, C_oss), а также цоколевку.

• STMicroelectronics:
  • STW60N60DM6 (MDmesh™ DM6) — очень близкий аналог по характеристикам и технологии.
  • STP60N60DM6 (в корпусе TO-220) — для менее мощных решений.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP60N60 (SuperFET® II) — транзистор аналогичного класса.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60N06-60 (E系列) — мощный Superjunction MOSFET.
• Toshiba:
  • TK60N60W5 (DTMOSVI) — технология, аналогичная CoolMOS.

Важное примечание по замене: Несмотря на схожесть параметров, перед заменой обязательно необходимо:

1. Сравнить даташиты (data sheets) обоих компонентов.
2. Проверить разводку выводов (pinout) корпуса.
3. Убедиться в совпадении ключевых для вашей схемы динамических параметров (заряды Q_g, Q_gd, выходная емкость C_oss).
4. Учесть возможные различия в паразитных внутренних диодах (скорость восстановления).

Рекомендация: Для новых разработок лучше всего использовать оригинальную модель IKFW60N60DH3E или ее прямой аналог IPW60R060P7, так как они гарантированно обеспечивают заявленные Infineon характеристики семейства CoolMOS™ P6. Замена на модель другого производителя требует дополнительной верификации в схеме.