Infineon IKP08N65H5

Infineon IKP08N65H5
Артикул: 563821

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IKP08N65H5

Отличный выбор! IKP08N65H5 — это высоковольтный MOSFET транзистор от Infineon Technologies, относящийся к линейке CoolMOS™ H5. Он сочетает в себе высокую эффективность, надежность и предназначен для жестких условий работы в импульсных источниках питания.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.


Описание и основные особенности

IKP08N65H5 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой суперджанкционной технологии CoolMOS™ пятого поколения (H5). Ключевые преимущества этой серии:

  1. Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость, что повышает общий КПД системы.
  2. Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора и выходной емкости (Qg, Coss), что позволяет работать на высоких частотах и снизить коммутационные потери.
  3. Оптимизированный демпфирующий диод (Body Diode): Обладает улучшенными характеристиками обратного восстановления (soft recovery), что критически важно для топологий с жестким переключением (например, PFC, мостовые схемы).
  4. Высокая надежность и стойкость к динамическим процессам: Обладает высокой стойкостью к лавинным breakdown (UIS) и перегрузкам по току.
  5. Применение: Идеально подходит для построения высокоэффективных и компактных импульсных источников питания (SMPS):
    • Корректоры коэффициента мощности (PFC) – особенно в непрерывном (CCM) и критическом (CrM) режимах.
    • Силовые инверторы (например, в сварочных аппаратах).
    • Импульсные преобразователи (Flyback, Forward, Half/Full Bridge).

Корпус: TO-220 (Isolated Package) – классический, удобный для монтажа и теплоотвода силовой корпус.


Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 650 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток стока | ID | 8 А | При TC = 25°C | | Импульсный ток стока | IDM | 32 А | - | | Сопротивление открытого канала | RDS(on) | 0,55 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 4 А | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 3,0 - 5,0 В | Тип. 4.0 В | | Общий заряд затвора | Qg | 27 нКл (тип.) | При VDS = 400 В, ID = 8 А | | Заряд Миллера | Qgd | 7,5 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера | | Входная емкость | Ciss | 950 пФ (тип.) | - | | Выходная емкость | Coss | 45 пФ (тип.) | - | | Энергия обратного восстановления | Err | 15 мкДж (тип.) | Характеристика встроенного диода | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot | 156 Вт | При TC = 25°C | | Температура перехода | TJ | -55 ... +150 °C | - | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | RthJC | 0,8 °C/Вт | - |


Парт-номера (Part Numbers) и варианты упаковки

Официальные номера компонента в зависимости от типа упаковки:

  • IKP08N65H5 – Стандартная поставка в корпусе TO-220.
  • IKP08N65H5XKSA1 – Полное обозначение для автоматического монтажа (на ленте, Tape & Reel). Это тот же самый кристалл в том же корпусе.

Совместимые модели и аналоги

При поиске замены необходимо учитывать не только основные параметры (VDSS, ID, RDS(on)), но и динамические характеристики (Qg, Coss, Err), а также топологию схемы.

Прямые аналоги от Infineon (той же или смежной серии):

  • SPP08N65H5 – Аналог в корпусе TO-247. Имеет лучший теплоотвод (ниже RthJC), можно использовать при больших мощностях.
  • IPU08N65H5 – Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, без металлической площадки), где требуется повышенная изоляция.
  • IPP08N65H5 – Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (схож с IPU).
  • IKP07N65H5 – Ближайший младший брат: 7А, RDS(on) ~ 0,65 Ом. Подойдет, если требуется меньший ток.
  • IKP11N65H5 – Ближайший старший брат: 11А, RDS(on) ~ 0,38 Ом. Подойдет для замены с запасом по току.

Аналоги от других производителей (кросс-референс):

  • STMicroelectronics:
    • STP8N65H5 – Прямой аналог в TO-220 (часто используется как замена).
    • STW8N65H5 – Аналог в корпусе TO-247.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FCP8N65H5 – Аналог из серии SuperFET® III.
  • Power Integration (часто встроены в их микросхемы, но есть и дискретные):
    • Серия PIP – но нужно сверять даташиты.
  • Vishay / Siliconix:
    • SUP8N65-50-H5 или аналоги из серий с суперджанкционной технологией.

Важные замечания по замене:

  1. Всегда сверяйте цоколевку (pinout)! У большинства аналогов в TO-220 она стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но бывают исключения.
  2. Параметры Err и Qrr критичны для схем PFC и мостов. Желательно выбирать аналог с сопоставимыми значениями.
  3. Характеристики драйвера. Разный заряд затвора (Qg) может потребовать корректировки цепи управления.
  4. Рекомендуется перед заменой провести тесты в реальной схеме, особенно на предельных режимах работы.

Вывод: IKP08N65H5 — это надежный и эффективный транзистор для мощных преобразователей. При необходимости замены лучшим выбором будут прямые аналоги от Infineon (SPP, IPU) или проверенные аналоги от STMicroelectronics.

Товары из этой же категории