Infineon IKW25T120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для IGBT-транзистора Infineon IKW25T120.

Описание

Infineon IKW25T120 — это дискретный IGBT-транзистор в корпусе TO-247, разработанный для высокоэффективных и надежных силовых приложений. Он сочетает в себе преимущества мощного биполярного транзистора (высокое напряжение и ток) с преимуществами полевого транзистора (управление напряжением). Эта модель является частью линейки TRENCHSTOP™ 5, что означает использование передовой технологии траншейного затвора, обеспечивающей низкое падение напряжения в насыщении (V_CE(sat)) и высокую плотность энергии.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая эффективность: Низкие динамические и статические потери, что снижает нагрев и повышает КПД системы.
• Высокая надежность: Расширенная область безопасной работы (RBSOA), устойчивость к коротким замыканиям.
• Быстрое переключение: Подходит для работ на средних частотах (как правило, до 20-30 кГц).
• Встроенный быстрый диод: В одном корпусе интегрирован антипараллельный диод с мягким восстановлением, что критически важно для инверторных и мостовых схем.
• Основные области применения:
  • Инверторы и частотные приводы для двигателей.
  • Источники сварочного тока.
  • Системы ИБП (источники бесперебойного питания).
  • Индукционные нагреватели.
  • Солнечные инверторы.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток коллектора (I_C @ 25°C) | 25 А | При температуре корпуса 25°C. | | Ток коллектора (I_C @ 100°C) | 15 А | При температуре корпуса 100°C (более реальный рабочий параметр). | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.7 В (тип.) | Падение напряжения в открытом состоянии при I_C=25А, V_GE=15В. Ключевой параметр для потерь проводимости. | | Энергия включения (E_on) | 5.0 мДж (тип.) | Параметр для расчета динамических потерь. | | Энергия выключения (E_off) | 2.0 мДж (тип.) | Параметр для расчета динамических потерь. | | Напряжение управления затвором (V_GE) | ±20 В | Стандартное рабочее напряжение затвора: +15В для открытия, -15В для надежного закрытия. | | Заряд затвора (Q_g) | 63 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу затвора. | | Корпус | TO-247 | Стандартный 3-выводной корпус для силовых компонентов. | | Диод: Прямое напряжение (V_F) | 1.9 В (тип.) | Падение на встроенном обратном диоде при I_F=25А. | | Температура перехода (T_vj) | -55 до +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. |

Парт-номера (Ordering Codes)

Официальное полное обозначение компонента может включать в себя информацию о упаковке и вариантах. Основные парт-номера:

• IKW25T120 — Базовая модель, обычно поставляемая в трубке или россыпью.
• IKW25T120FKSA1 — Вероятно, полный код с указанием специфических характеристик партии или упаковки (например, на ленте и в катушке для автоматизированного монтажа). Для точного заказа всегда следует уточнять код у дистрибьютора или в актуальном даташите.

Совместимые и аналогичные модели

При поиске замены или аналога важно сравнивать ключевые параметры: V_CES, I_C, V_CE(sat), корпус и наличие встроенного диода.

Аналоги от Infineon (прямая совместимость/альтернативы):

• IKW30N120T2 — Более новая модель из серии TRENCHSTOP™ 5 с немного большим током (30А) и улучшенными характеристиками.
• IKW40N120T2 — Аналог на 40А из той же серии.
• IKW20N120T2 — Аналог на 20А, если требуется меньший ток.
• IKW25N120H3 — Модель из предыдущего поколения (TRENCHSTOP™ 3). Может иметь немного большие потери, но часто используется как функциональный аналог.

Аналоги от других производителей (функциональные замены):

• STMicroelectronics: STGW25H120DF (серия H-серии, 1200В, 25А, TO-247, с диодом).
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120 (модуль на 200А, но в дискретном сегменте стоит искать аналогичные параметры).
• ON Semiconductor: FGH25N120ANTD (серия NPT IGBT, 1200В, 25А, TO-247-3, с диодом).
• IXYS (Littelfuse): IXGH25N120B3 (классический IGBT, 1200В, 25А, TO-247).

Важные замечания по совместимости:

1. Не все IGBT 1200В 25А одинаковы. Параметры E_on/E_off и V_CE(sat) сильно влияют на нагрев и КПД в конкретной схеме.
2. Драйвер затвора. Хотя напряжение управления стандартное, внутренние емкости и требуемые токи драйвера могут отличаться. Рекомендуется проверять целостность работы с существующей схемой управления.
3. Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами обоих компонентов, особенно разделами, касающимися динамических характеристик и области безопасной работы (SOA).

Рекомендация: Для проектирования новой продукции или критичного ремонта всегда используйте официальный даташит (Data Sheet) на конкретную версию компонента с сайта Infineon.