Infineon IPA60R099C6XKSA1

Отличный выбор! IPA60R099C6XKSA1 — это высококачественный силовой MOSFET транзистор от Infineon Technologies, известный своим низким сопротивлением открытого канала и высокой эффективностью. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

IPA60R099C6XKSA1 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Эта линейка разработана для обеспечения оптимального баланса между низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)), высокой скоростью переключения и отличной устойчивостью к электромагнитным помехам (EMI). Ключевая особенность — очень низкое значение RDS(on) (всего 99 мОм при 10 В на затворе), что минимизирует потери на проводимость и нагрев.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): PFC-каскады, LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые преобразователи.
• Инверторы для солнечной энергетики.
• Серверное и телекоммуникационное оборудование.
• Промышленные системы питания.

Ключевое преимущество: Технология CoolMOS C6 обеспечивает исключительно низкие коммутационные потери и высокую эффективность, особенно в жестких режимах переключения (hard-switching), что делает его идеальным для высокочастотных преобразователей.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET, Superjunction (CoolMOS™ C6) | | | Корпус | TO-220 | Изолированный (FullPAK), с монтажным отверстием. | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Ток стока (ID) | 11 А | При температуре корпуса 25°C. | | Ток стока импульсный (IDM) | 44 А | Максимальный кратковременный импульсный ток. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.099 Ом (99 мОм) | Ключевой параметр! При VGS = 10 В, ID = 5.5 А, Tj = 25°C. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.5 В | Тип. 3.8 В. | | Заряд затвора (Qg) | ~ 28 нКл | При VGS = 10 В, влияет на драйвер затвора. | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором). | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Параметры: VSD ~ -1.3 В, trr ~ 120 нс (тип.). | | Рабочая температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Транзисторы часто имеют несколько обозначений (парт-номеров) в зависимости от упаковки, маркировки или незначительных модификаций. IPA60R099C6XKSA1 — это полный и основной парт-номер.

1. Прямые аналоги и альтернативные обозначения от Infineon:

• SPA60R099C6 — Более старое или альтернативное обозначение той же самой технологии CoolMOS C6. По сути, это тот же транзистор.
• IPP60R099C6 — Аналогичный транзистор в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный). Очень часто является полным и прямым аналогом. Необходимо сверять даташиты.
• IPD60R099C6 — Аналогичный транзистор в корпусе D²PAK (TO-263). Электрические параметры идентичны, отличается только корпус для поверхностного монтажа (SMD).

2. Совместимые модели / Конкурентные аналоги от других производителей:

Важно: При замене всегда необходимо сверять распиновку (pinout), пороговое напряжение затвора (VGS(th)) и динамические характеристики (Qg, Ciss).

• STMicroelectronics:
  • STF11N60M6 (MDmesh™ M6, RDS(on) = 0.19 Ом) — Близок по напряжению, но сопротивление выше.
  • STW12N60M6 (в корпусе TO-247) — более мощный аналог.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP11N60 (SuperFET® II, RDS(on) = 0.45 Ом) — Более высокое сопротивление.
  • FCPF11N60 (в корпусе TO-220F, изолированный).
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60N06 (600В, 11А, RDS(on) ~ 0.19 Ом).
• Texas Instruments:
  • Аналоги обычно представлены в драйверах + MOSFET в одном корпусе, дискретные аналоги не являются основным профилем TI.

Рекомендация по замене: Наиболее прямыми и гарантированно совместимыми аналогами являются IPP60R099C6 и SPA60R099C6 от самого Infineon. При выборе аналога от другого производителя необходимо тщательное изучение даташита, особенно в высокочастотных схемах.

Важные примечания для применения

1. Драйвер затвора: Для эффективного и быстрого переключения необходим драйвер с достаточным током заряда/разряда затвора. Рекомендуется использовать специализированные микросхемы-драйверы (например, от Infineon, TI, ST).
2. Тепловой режим: Несмотря на низкое RDS(on), при больших токах транзистор греется. Обязательно использование радиатора. Корпус TO-220 FullPAK (изолированный) позволяет крепить его на радиатор без изолирующей прокладки, что улучшает тепловой контакт.
3. Защита: Рекомендуется предусмотреть защиту от перенапряжения (снабберные цепи), перегрузки по току и "сквозных" токов (shoot-through) в мостовых схемах.
4. Паяние: Соблюдайте температурный режим пайки, указанный в даташите (обычно не более 260°C в течение нескольких секунд).

Где найти официальную информацию: Всегда обращайтесь к официальному даташиту (Datasheet) на сайте Infineon. Для поиска введите полный парт-номер IPA60R099C6XKSA1 в строку поиска на infineon.com.