Infineon IPA60R125CP

Отличный выбор! IPA60R125CP — это очень популярный и надежный силовой MOSFET транзистор от Infineon. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Краткое описание

Infineon IPA60R125CP — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CP. Ключевая особенность этой серии — оптимизация для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания. Буквы "CP" означают "Commercial Power" — версию, сбалансированную по цене и производительности, идеально подходящую для массовых применений.

Основное назначение: Применяется в схемах, где требуется высокое напряжение, высокий КПД и быстрая коммутация. Является "рабочей лошадкой" в блоках питания средней и высокой мощности.

Типичные применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): PFC-каскады (корректор коэффициента мощности), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и мостовые схемы.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Промышленные системы управления.
• Инверторы и драйверы для электродвигателей.

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET | Технология Superjunction (CoolMOS) | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | Основное рабочее напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.125 Ом (макс.) при V_GS=10 В, I_D=15.6 А | Ключевой параметр! Низкое сопротивление снижает потери на проводимость и нагрев. | | Стоковый ток (I_D) | 11 А (при T_C=100°C) | Непрерывный ток через транзистор | | Импульсный ток стока (I_DM) | 44 А | Кратковременная перегрузка по току | | Заряд затвора (Q_g) | 60 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера. Определяет скорость переключения и потери на управление. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th))| 3 - 5 В (тип. 4 В) | Минимальное напряжение для открытия транзистора | | Макс. напряжение "затвор-исток" (V_GS)| ±30 В | Нельзя превышать! | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Параметры: V_SD = 1.4 В (тип.), t_rr ~ 150 нс (тип.) | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (R_thJC)| 1.67 °C/Вт | Чем меньше, тем лучше отвод тепла от кристалла к корпусу. | | Рабочая температура перехода (T_J)| от -55 до +150 °C | Максимальная +150°C |

Преимущества технологии CoolMOS CP:

• Очень низкое R_DS(on) для своего класса напряжения, что снижает потери в открытом состоянии.
• Высокая скорость переключения благодаря низким зарядам затвора и выходной емкости.
• Высокая устойчивость к динамическим процессам (dv/dt).
• Оптимизированное соотношение цена/производительность.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с незначительными отличиями):

• IPA60R125C6 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, с улучшенной изоляцией).
• IPx60R125C6 (x = A, W, P) — серия в разных корпусах (TO-220, TO-247, D²PAK). Буква после "IP" указывает на корпус.
• SPA60R125C3 — из более старой линейки CoolMOS, но с очень близкими параметрами.

2. Функционально совместимые аналоги от других производителей (Внимание! Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом и pinout!):

• STMicroelectronics: STP11NM60, STW11NK100Z (с другими параметрами, но в том же классе).
• ON Semiconductor / Fairchild: FCP11N60, FCPF11N60.
• Vishay / Siliconix: SUD11N06-xx (серия).
• Power Integration (в составе их интегральных схем, но как дискретный компонент — нет).

Важно: Хотя эти транзисторы рассчитаны на 600В и имеют схожий ток, ключевые параметры (R_DS(on), Q_g, динамические характеристики) могут отличаться. IPA60R125CP обладает одним из лучших соотношений R_DS(on) и заряда затвора в своем классе.

3. Ключевые параметры для поиска аналога:

При подборе замены ориентируйтесь на:

1. Напряжение V_DSS: 600 В.
2. Ток I_D: ~10-12 А.
3. Сопротивление R_DS(on): ~0.12 - 0.15 Ом.
4. Корпус: TO-220.
5. Заряд затвора Q_g: желательно < 70 нКл.

Рекомендации по применению и замена

1. Обязательное использование радиатора при работе на больших токах. TO-220 без радиатора рассеивает мощность всего около 2-3 Вт.
2. Правильный монтаж: Используйте термопасту для улучшения теплового контакта. Следите за моментом затяжки винта, если он используется.
3. Драйвер затвора: Для эффективного управления и минимизации потерь на переключение необходим драйвер с достаточной выходной токовой способностью (например, IR2110, IRS21844, специализированные ШИМ-контроллеры с встроенным драйвером).
4. Защита от статики (ESD): Как и все MOSFET, чувствителен к статическому электричеству. Соблюдайте меры предосторожности.
5. При замене на аналог от другого производителя внимательно проверяйте распиновку (pinout) корпуса! Она может отличаться (например, расположение стока, истока и затвора).

Вывод: IPA60R125CP — это проверенный временем, высококачественный и сбалансированный транзистор, который остается отличным выбором для построения надежных и эффективных силовых преобразовательных устройств на напряжение до 400-450 В в сетевой части (с учетом запаса по напряжению).