Infineon IPA60R280E6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Infineon IPA60R280E6.

Общее описание

Infineon IPA60R280E6 — это N-канальный MOSFET транзитор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P6. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS). Его основная "фишка" — исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при высокой рабочей напряженности, что напрямую ведет к значительному снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД конечного устройства.

Основная сфера применения:

• Импульсные блоки питания (в т.ч. серверные, телекоммуникационные, промышленные)
• PFC-каскады (корректор коэффициента мощности)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы для солнечной энергетики
• Сварочное оборудование

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ P6:

• Сверхнизкое сопротивление RDS(on): Минимизирует проводимые потери.
• Высокая скорость переключения: Уменьшает динамические потери.
• Оптимизированный заряд затвора (Qg): Упрощает управление, снижает потери в драйвере.
• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | Технология CoolMOS™ P6 | | Структура корпуса | ТО-220 FullPAK | Пластиковый корпус с изолирующей пластиной (легкий монтаж на радиатор без изолирующих прокладок) | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.28 Ом (макс.) @ V_GS=10 В, I_D=6.5 А | Главный параметр. Показывает эффективность в режиме проводимости. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.2 Ом (тип.) @ V_GS=10 В, I_D=6.5 А | Типичное значение | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 7.5 А @ T_C=100°C | При заданной температуре корпуса | | Импульсный ток стока (I_DM) | 30 А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Заряд затвора (Q_g) (тип.) | 28 нКл | Влияет на требования к драйверу управления | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.5 - 5.0 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 156 Вт | Теоретический максимум при идеальном охлаждении корпуса до 25°C | | Диод "сток-исток" (Internal Diode) | Есть | Интегрированный обратный диод (Body Diode) | | Температура хранения/перехода | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера и маркировка

• Полный парт-номер производителя: IPA60R280E6XKSA1
• Маркировка на корпусе (ТО-220): Обычно наносится как 60R280E6 или IPA60R280E6.
• Производитель: Infineon Technologies.

Совместимые модели / Аналоги (Cross-Reference)

При поиске аналога важно учитывать не только напряжение и ток, но и ключевые динамические параметры (RDS(on), Qg), корпус и технологию.

Прямые или очень близкие аналоги от других производителей:

1. STMicroelectronics:
   • STP6N60DM2 (600В, 0.28 Ом, ТО-220) — MDmesh™ DM2, хороший аналог по параметрам.
   • STP7N60M2 (600В, 0.45 Ом, но выше ток) — можно рассматривать в некоторых схемах.
2. ON Semiconductor / Fairchild:
   • FCP6N60 (600В, 0.75 Ом) — старый аналог, параметры хуже.
   • Более современные серии SuperFET II или MOSFET HV требуют подбора по даташиту (например, FCPF6N60NT).
3. Vishay / Siliconix:
   • SUP6N60-18E3 (600В, 0.6 Ом) — технология E3, требует проверки.
   • Нужно искать в сериях E-Series или PowerPAK® с низким RDS(on).
4. Toshiba:
   • TK6A60W (600В, 0.6 Ом) — серия DTMOS IV.
5. Chinese Manufacturers (Nexperia, etc.):
   • P6NK60ZFP (600В, 0.6 Ом) — часто встречается, но параметры, как правило, скромнее.

Аналоги от самого Infineon (для модернизации или иного конструктивного исполнения):

• В том же корпусе ТО-220:
  • IPA60R280P6S — более новая/оптимизированная версия в той же линейке P6.
  • IPA60R380P6S (0.38 Ом) — если требуется немного больший запас по параметрам.
• В корпусе ТО-247 (для более мощных решений):
  • IPP60R280P6S (0.28 Ом) — аналог в большем корпусе с лучшим теплоотводом.
• В корпусе D²PAK (ТО-263):
  • IPD60R280P6S (0.28 Ом) — для поверхностного монтажа (SMD).

Важное примечание по замене:

Перед заменой IPA60R280E6 на аналог обязательно необходимо:

1. Сравнить даташиты обоих компонентов.
2. Убедиться в совпадении или улучшении ключевых параметров: V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g.
3. Проверить распиновку (pinout) корпуса.
4. Учесть различия в динамических характеристиках (емкости C_iss, C_oss, C_rss), которые могут повлиять на работу схемы на высоких частотах.

Вывод: Infineon IPA60R280E6 — это высококачественный, эффективный MOSFET для силовой электроники среднего и высокого уровня. Его прямыми аналогами являются современные высоковольтные транзисторы с технологией суперджанкшн (Superjunction) от других ведущих производителей, но подбор должен проводиться тщательно, с учетом всех параметров схемы.