Infineon IPB011N04LG

Отличный выбор! Infineon IPB011N04LG — это высокоэффективный силовой MOSFET-транзистор в популярном корпусе TO-263 (D²PAK), который широко используется в мощных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и системах управления двигателями.

Описание и основные особенности

IPB011N04LG — это N-канальный MOSFET, являющийся частью линейки OptiMOS™ 5 от Infineon. Это поколение характеризуется рекордно низким значением сопротивления открытого канала (RDS(on)) для своего класса, что напрямую ведет к:

• Минимальным потерям на проводимость: Повышает общий КПД системы.
• Сниженным тепловыделением: Позволяет использовать радиаторы меньшего размера или обойтись без них при умеренных токах.
• Высокой плотностью мощности: Позволяет создавать более компактные и мощные устройства.

Ключевая особенность: Этот транзистор оптимизирован для работы в низковольтных (до 40 В) и сильноточных приложениях, особенно где важна энергоэффективность, например, в системах питания материнских плат и видеокарт (VRM), телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике (не силовые агрегаты) и промышленных нагрузках.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | TO-263-7 (D²PAK), 7-пин | Имеет дополнительные пины для лучшего отвода тепла и уменьшения паразитной индуктивности. | | Структура (Polarity) | Single | Одиночный транзистор в корпусе. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 40 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ~1.1 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 25 А. Главное преимущество модели. | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 180 А | При T_c = 25°C. Реальный рабочий ток зависит от условий охлаждения. | | Импульсный ток стока (I_DM) | 720 А | | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 2.8 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~100 нКл | Относительно низкий заряд, что упрощает управление и снижает потери на переключение. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 294 Вт | При T_c = 25°C на плате. На практике ограничивается тепловым сопротивлением. | | Диод "сток-исток" | Встроенный (Body-Diode) | Есть, с характеристиками, присущими MOSFET. |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги от Infineon)

Infineon часто использует сквозную маркировку. Один и тот же кристалл в разных корпусах имеет разные парт-номера.

• IPB011N04L GATMA1 — Полное обозначение с указанием на упаковку (лента-рулон).
• IPB011N04L — основное сокращенное обозначение.
• IPB011N04LXT — аналог в корпусе D²PAK (TO-263-3), 3 пина. Имеет чуть худшие тепловые характеристики по сравнению с 7-пиновым вариантом.
• IPP011N04L G — аналог в корпусе TO-220 FullPAK. Для монтажа на радиатор винтом.
• BSZ011N04LS G — аналог в корпусе SuperSO8 (LFPAK). Для компактных решений с поверхностным монтажом.

Важно: Буквы в конце (G, GATMA1) обычно указывают на тип упаковки (лента, трубка) и не влияют на электрические параметры.

Совместимые / конкурирующие модели от других производителей

Прямых "кроссплатформенных" аналогов с идентичными характеристиками может не быть, но по ключевым параметрам (40В, ~1.1 мОм, TO-263) можно подобрать функциональные замены. Всегда сверяйтесь с даташитами перед заменой!

От Vishay (SiRAxxDP):

• SIRA121DP-T1-GE3 (1.2 мОм, 40В, 171А)
• SIRA122DP-T1-GE3

От ON Semiconductor (NVMxSx):

• NVMFD5C446NLWFT1G (0.95 мОм, 40В, 250А) — очень близкий конкурент.
• NVMYS1D3N04C (1.3 мОм, 40В, 195А)

От STMicroelectronics (STLxDN4):

• STL320DN4F7 (0.8 мОм, 40В, 320А) — более мощный вариант.
• STL225DN4F7 (1.35 мОм, 40В, 225А)

От Nexperia:

• PSMN4R0-40YSFX (1.0 мОм, 40В, 250А) — отличный аналог в корпусе LFPAK56.

Ключевые области применения:

• Вторичные цепи питания: Высокотоковые синхронные выпрямители и низковольтные DC-DC преобразователи (например, VRM для процессоров и видеокарт).
• Управление двигателями: ШИМ-управление в робототехнике, электроприводах, вентиляторах.
• Силовые ключи: В инверторах, H-мостах, цепях горячего подключения (Hot Swap).
• Автомобильная электроника: Управление нагрузками в бортовой сети (12/24 В), например, обогревы, мощная светотехника.

Рекомендация: При выборе аналога обращайте внимание не только на RDS(on) и V_DSS, но и на заряд затвора (Q_g), емкости (C_iss, C_oss, C_rss) и тепловые параметры (R_thJC), особенно если работа идет на высоких частотах.