Infineon IPB65R190C6ATMA1

Отличный выбор! IPB65R190C6ATMA1 — это высокопроизводительный силовой MOSFET транзистор от Infineon Technologies, относящийся к семействам CoolMOS™ C6 и Superjunction 600V. Он оптимизирован для эффективной работы в жестких условиях импульсных преобразователей.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Краткое описание и ключевые особенности

Транзистор IPB65R190C6ATMA1 — это N-канальный MOSFET, разработанный по передовой суперпереходной (Superjunction) технологии CoolMOS™ C6. Его главные задачи — максимальная энергоэффективность и надежность в импульсных источниках питания.

Основные преимущества:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) 190 мОм при 10В, что минимизирует потери на проводимость.
• Оптимизированные динамические характеристики: Быстрое переключение с низкими коммутационными потерями, особенно в жестких режимах (hard-switching).
• Высокая надежность и стойкость: Технология C6 обеспечивает отличный баланс между эффективностью и устойчивостью к перегрузкам, включая высокую стойкость к dv/dt.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление, снижает потери в драйвере.
• Корпус TO-263-3 (D2PAK): Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), обладает хорошими тепловыми характеристиками.

Полные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Superjunction) | | | Семейство | Infineon CoolMOS™ C6 | | | Корпус | TO-263-3 (D2PAK) | | | Максимальное напряжение | Vds = 650 В | Напряжение "сток-исток" | | Ток (непрерывный) | Id = 13 А | При Tc = 100°C | | Ток (импульсный) | Id_pulse = 52 А | | | Сопротивление в открытом состоянии | Rds(on) = 190 мОм | Ключевой параметр! При Vgs = 10 В | | | Rds(on) = 250 мОм | При Vgs = 4.5 В (для низковольтного управления) | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) = 3.0 - 4.8 В | Тип. 3.9 В | | Заряд затвора | Qg = 47 нКл | При Vgs = 10 В (важно для расчета драйвера) | | Входная емкость | Ciss = 1800 пФ | | | Выходная емкость | Coss = 110 пФ | | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot = 156 Вт | При Tc = 25°C | | Диапазон температур перехода | Tj = от -55 до +150 °C | | | Ключевая особенность | Повышенная стойкость к dv/dt | Технология C6 |

Part-номера (Прямые аналоги и варианты упаковки)

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки (катушка/лента) или незначительных модификаций. Основные из них:

• IPB65R190C6ATMA1 – Полное название, как правило, для покупки в отгрузочной упаковке (катушка/лента).
• IPB65R190C6 – Базовая часть номера без указания упаковки.
• SPB65R190C6 – Важно! Это аналог в корпусе TO-263-3 (D2PAK), но с прямыми выводами (для сквозного монтажа в отверстия), а не SMD. Электрически и по характеристикам идентичен. Используется, если на плате предусмотрены отверстия.
• IPB65R190C6AT – Может указывать на вариант упаковки (например, Ammo Pack).

Совет: При замене обязательно обращайте внимание на корпус (IPB – SMD, SPB – выводной).

Совместимые и аналогичные модели (для замены)

При поиске замены или аналога нужно сравнивать ключевые параметры: Vds (650В), Id (13А), Rds(on) (~190 мОм), корпус и заряд затвора.

1. Прямые аналоги от Infineon (новые поколения):

Часто можно использовать более новые и эффективные модели из следующих поколений CoolMOS. Они обычно имеют лучшие параметры, но требуют проверки на совместимость по распиновке и динамике:

• IPB65R190C7 / SPB65R190C7 – Следующее поколение CoolMOS™ C7. Имеет сопоставимое Rds(on), но улучшенные динамические характеристики.
• IPB65R140C7 / SPB65R140C7 – Из того же семейства C7, но с Rds(on) = 140 мОм (более эффективный, если токи выше).
• IPA65R190C6 / IPA65R140C6 – Аналоги в корпусе TO-220 (сквозной монтаж, с изолирующей прокладкой).

2. Аналоги от других производителей (кросс-референс):

• STMicroelectronics:
  • STF13N65M6 (MDmesh™ M6, 650V, 0.19 Ом, TO-220FP/D2PAK)
  • STW13N65M6 (в корпусе TO-247)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP13N65 (SuperFET®, 650V, 0.19 Ом, TO-220/D2PAK)
• Vishay / Siliconix:
  • SUP13N65-19 (E-series, 650V, 0.19 Ом, TO-220/D2PAK)
• Toshiba:
  • TK13A65W (DTMOS VI, 650V, 0.19 Ом, TO-220SM(D2PAK))

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS): PFC-каскады, прямоходовые и мостовые преобразователи.
• Источники питания для ПК и серверов.
• ИБП (бесперебойные источники питания).
• Инверторы и приводы для электродвигателей малой мощности.
• Светодиодные драйверы высокой мощности.

Важное предупреждение: Перед заменой на аналог, особенно от другого производителя, обязательно сверяйтесь с даташитами, обращая внимание на:

1. Распиновку выводов (Gate, Drain, Source).
2. Вольт-амперные и динамические характеристики (Qg, Ciss, задержки).
3. Рекомендации по монтажу и тепловому режиму.

Транзистор IPB65R190C6ATMA1 является надежным и популярным решением для построения эффективных и компактных силовых узлов на 600-650В.