Infineon IPB80N03S4L-02
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPB80N03S4L-02
Отличный выбор! IPB80N03S4L-02 — это очень популярный и надежный N-канальный MOSFET от Infineon, относящийся к семейству OptiMOS. Вот подробное описание и вся необходимая информация.
Описание
IPB80N03S4L-02 — это мощный низковольтный MOSFET, оптимизированный для приложений с высокой эффективностью и плотностью монтажа. Его ключевые преимущества — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокая скорость переключения, что минимизирует потери на проводимость и переключение. Он выполнен в корпусе TO-263 (D2PAK), который обеспечивает хороший отвод тепла через контакт стока (нижняя металлическая часть).
Основные сферы применения:
- Силовые цепи материнских плат и видеокарт (стабилизаторы напряжения процессора, GPU - VRM).
- DC-DC преобразователи в источниках питания, серверах, телекоммуникационном оборудовании.
- Управление двигателями в автомобильной электронике (например, управление вентиляторами, насосами).
- Синхронное выпрямение в мощных блоках питания.
- Силовые ключи в инверторах и контроллерах заряда.
Технические характеристики (кратко)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Корпус | TO-263 (D2PAK) | 3 вывода, с теплоотводящей площадкой | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 30 В | Максимальное напряжение | | Ток стока (Id) при 25°C | 80 А | Постоянный ток | | Ток стока импульсный (Id_pulse) | 320 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | ~2.1 мОм | Типовое при Vgs=10V, ключевой параметр | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.8 - 3.0 В | | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | Максимальное (не превышать!) | | Общий заряд затвора (Qg) | ~60 нКл | Влияет на легкость управления | | Рассеиваемая мощность (Pd) | ~125 Вт* | Зависит от условий охлаждения |
*Важно: Мощность рассеяния сильно зависит от качества теплоотвода (радиатора, площади медной полигона на плате) и условий окружающей среды. Данные из даташита — ~125Вт при температуре корпуса 25°C, но на практике она будет значительно ниже без массивного охлаждения.
Парт-номера и прямые аналоги (Direct Replacements)
Эти модели имеют идентичную цоколевку (pin-to-pin) и максимально близкие или идентичные характеристики, что позволяет производить прямую замену без изменений в схеме.
- IPB80N03S4L-03 — более новая/популярная ревизия с аналогичными параметрами. Часто указывается как основной аналог.
- IPB80N03S4L (без суффикса -02) — предыдущая версия.
- IPP80N03S4L-02 — аналог в корпусе TO-220 (для монтажа на отдельный радиатор).
- BSC080N03S (от Infineon) — может быть вариантом из другой линейки с похожими параметрами.
Совместимые / Взаимозаменяемые модели (Close Replacements)
Эти MOSFET часто используются в аналогичных применениях (особенно в VRM) и могут служить заменой при условии проверки по даташиту и, возможно, небольшой подстройки драйвера. Они имеют сопоставимые или лучшие ключевые параметры (ток, Rds(on)).
От Infineon:
- IPP090N03S4L-02 / IPP090N03S4L-03 (90А, TO-220)
- IPB090N03S4L (90А, TO-263)
- BSC090N03LS / BSC100N03LS (серия Little Foot, TO-263)
- BSC010N03LS (100А, TO-263) — более новая технология, часто лучше.
- BSC140N03LS (140А, TO-263) — более мощный.
От других производителей (важные аналоги):
- Vishay (Siliconix): SUD80N03-03L, SQJ80N03-03L
- ON Semiconductor: NTMFS80N03HDL, FDBL86062
- STMicroelectronics: STL80N3LLH5, STP80N3LL
- Nexperia: PSMN3R0-80PS
Критически важные моменты при замене:
- Цоколевка (Pinout): Убедитесь, что корпус и расположение выводов Gate, Drain, Source совпадают (для D2PAK обычно стандартное).
- Напряжение затвора (Vgs): Не должно превышать ±20В для оригинальной модели. У аналогов может отличаться.
- Пороговое напряжение (Vgs(th)): Сильно влияет на работу в схемах с низким управляющим напряжением.
- Входная емкость (Ciss) и заряд затвора (Qg): Если эти параметры сильно отличаются, может потребоваться проверка работы драйвера (возможны проблемы со скоростью переключения и нагревом драйвера).
- Тепловые характеристики: Обратите внимание на тепловое сопротивление (RthJC, RthJA). Более мощный аналог в том же корпусе может греться сильнее, если у него хуже отвод тепла.
Рекомендация: Перед заменой всегда сравнивайте даташиты (Datasheet) обоих компонентов, уделяя внимание вышеуказанным параметрам. Для критичных применений (например, ремонт VRM) лучшей заменой являются модели IPB80N03S4L-03 или IPP80N03S4L-02/03 от Infineon.