Infineon IPB80N03S4L02ATMA1

Отличный выбор! IPB80N03S4L-02ATMA1 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET в современном корпусе TO-263-3 (D2PAK) от Infineon. Он принадлежит к серии OptiMOS™ 4, известной своими выдающимими характеристиками потерь и надежностью.

Краткое описание и основные преимущества

Это силовой транзистор, предназначенный для низковольтных (до 30V) приложений, где критически важны высокий КПД и минимизация потерь. Его ключевая "фишка" — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) — всего 1.8 мОм при 10V на затворе. Это делает его идеальным решением для:

• DC/DC преобразователей (особенно синхронных выпрямителей в понижающих топологиях).
• Управления двигателями (в робототехнике, дронах, электроинструменте).
• Систем управления питанием (PMIC) на материнских платах, серверах, телеком-оборудовании.
• Силовых ключей в источниках бесперебойного питания (ИБП), автомобильной электронике (не силовых агрегатах).

Основные преимущества:

• Сверхнизкие потери проводимости: Благодаря рекордно низкому RDS(on).
• Высокая эффективность переключения: Быстрая работа, малые заряды затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (100% тестирование): Надежная работа в жестких условиях.
• Корпус D2PAK: Хороший баланс между мощным рассеиванием и площадью на плате.

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Корпус | TO-263-3 (D2PAK) | | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 30 V | Максимальное напряжение | | Непрерывный ток стока (ID) | 80 A | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (IDpulse) | 320 A | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.8 мОм (max) | VGS=10V, ID=40A | | | 2.2 мОм (max) | VGS=4.5V, ID=20A | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.8 - 2.4 V | Тип. 2.1V | | Общий заряд затвора (Qg) | ~65 нКл (typ) | VGS=10V, важный параметр для драйвера | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | ~125 Вт | Зависит от условий охлаждения | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | | | Стойкость к лавинной энергии (EAS) | > 100 мДж | 100% тестирование на производстве | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Прямой ток до 80А |

Парт-номера и совместимые модели

Этот компонент имеет несколько вариантов маркировки и прямых аналогов. Важно: При замене всегда проверяйте распиновку и характеристики в даташите.

1. Парт-номера Infineon (полные и для заказа):

• IPB80N03S4L-02ATMA1 — Полное название, которое вы указали. Суффикс ATMA1 часто указывает на упаковку (Tape & Reel).
• IPB80N03S4L-02 — Базовая часть номера без указания упаковки.
• На корпусе может быть нанесена сокращенная маркировка, например: 80N03S4L или подобная.

2. Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (Cross-Reference):

Очень близкие по характеристикам (30V, ~80A, ~1.8-2.2 мОм, D2PAK):

• Vishay / Siliconix:
  • SQJ480EP-T1_GE3 (SiSS24DN)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDBL86062_F085 (очень популярный аналог)
• STMicroelectronics:
  • STL160N3LLH6 (или серия STL**)
• Nexperia:
  • PSMN3R0-80SSE (хотя часто 3.0 мОм, нужно проверять по току)
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AON7400 или аналоги из серии AON74xx/AON75xx.

3. Важные замечания по совместимости:

1. Проверьте даташит! Даже у моделей с похожими ключевыми параметрами (RDS(on), ID) могут отличаться:
   • Динамические характеристики: Qg, Ciss, Coss, Crs — критично для высокочастотных преобразователей.
   • Встроенный диод: Скорость восстановления (trr).
   • Распиновка (Pinout): Хотя для D2PAK она часто стандартна (G-D-S), бывают исключения.
2. Серия OptiMOS™ 5/6: У Infineon есть более новые поколения (OptiMOS™ 5, 6, 7). Модели из этих серий при том же напряжении и токе часто имеют еще более низкое RDS(on). Они могут быть прямой и улучшенной заменой, но, как правило, дороже. Пример: IPB80N04S5L-03 (40V, но с похожими характеристиками).
3. Для новой разработки всегда стоит проверить актуальность линейки на сайте Infineon, возможно, есть более современная рекомендуемая замена.

Вывод

IPB80N03S4L-02ATMA1 — это мощный, эффективный и надежный MOSFET, ставший отраслевым стандартом для задач силовой электроники до 30В. Его популярность обусловлена оптимальным соотношением цены и производительности. При замене аналогами, указанными выше, обращайте внимание на динамические параметры и характеристики встроенного диода, особенно в схемах с жестким переключением (SMPS, мостовые драйверы).