Infineon IPB80N04S2-04

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET транзистора Infineon IPB80N04S2-04.

Описание

IPB80N04S2-04 — это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK), разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к линейке OptiMOS 2, которая известна своим оптимальным балансом между стоимостью и производительностью.

Ключевые особенности и применение:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает высокую эффективность и снижение потерь мощности в виде тепла.
• Высокая стабильность и надежность: Благодаря передовой технологии производства Infineon.
• Предназначен для жестких ключевых режимов (Switching): Идеально подходит для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, цепях управления двигателями (например, в автомобильной электронике), системах управления питанием (VRM) на материнских платах и серверах.
• Корпус D²PAK: Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), имеет удобную площадку для отвода тепла, что позволяет эффективно рассеивать мощность.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS 2 | | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | SMD, 3 вывода + теплоотвод | | Полярность | Enhancement Mode | Нормально закрытый | | Структура | Single | |

| Электрические характеристики (при Tj = 25°C, если не указано иное) | | | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 40 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (ID при 25°C) | 80 А | | | Импульсный ток стока (IDM) | 320 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 4.2 мОм (макс.) | При VGS = 10 В, ключевой параметр | | | 5.5 мОм (макс.) | При VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2 - 4 В | Стандартное для логических уровней | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGSS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 60 нКл (тип.) | Влияет на скорость переключения | | Время включения (td(on) + tr) | ~ 20 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | ~ 30 нс (тип.) | |

| Тепловые и другие характеристики | | | | :--- | :--- | :--- | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 125 Вт | Зависит от условий охлаждения | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 1.0 °C/Вт | | | Диод обратного восстановления (Body Diode) | Есть | Встроенный паразитный диод |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными маркировками в зависимости от упаковки и поставщика. Основные парт-номера от Infineon:

• IPB80N04S2-04 — основное и полное название.
• На корпусе обычно нанесена маркировка: 80N04S2 или 80N04S.

Совместимые модели / Аналоги

При поиске замены необходимо учитывать ключевые параметры: VDSS (40В), ID (80А), RDS(on) (~4-5 мОм) и корпус TO-263.

1. Прямые или очень близкие аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STP80NF03L-04 (очень близкий аналог, 30В, но часто используется в тех же схемах с запасом), STB80NF03L-04 (в корпусе D²PAK).
• Vishay / Siliconix: SQJ480EP — один из самых популярных и доступных аналогов (40В, 80А, 4.5 мОм).
• ON Semiconductor (Fairchild): FDB8030L (30В, но с лучшими динамическими характеристиками).
• IR (International Rectifier): IRLB8314 (40В, 100А, 3.5 мОм, но часто в TO-220).

2. Совместимые модели из более новых поколений Infineon (лучшие параметры):

Для новых разработок рекомендуется использовать более современные серии, которые имеют меньшее RDS(on) и лучшую эффективность:

• OptiMOS 3: IPB080N04S3-02 (RDS(on) ~ 2.2 мОм) или IPB080N04S3-03.
• OptiMOS 4: IPB080N04S4-03 (RDS(on) ~ 1.8 мОм).
• OptiMOS 5/6: Еще более эффективные, но могут быть дороже.

3. Важные замечания по замене:

• Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом! Особенно важно проверить распиновку (pinout) корпуса, характеристики встроенного диода и динамические параметры (Qg, Ciss), если схема высокочастотная.
• Более новые аналоги (OptiMOS 3/4/5) обычно являются полнофункциональной и улучшенной заменой, но в редких случаях из-за разной паразитной емкости может потребоваться подстройка драйвера затвора.
• Указанные аналоги SQJ480EP и STP80NF03L-04 являются наиболее распространенной и проверенной заменой в ремонте и новых проектах.

Вывод: IPB80N04S2-04 — надежный и проверенный транзистор для среднемощных ключевых применений. При его замене или использовании в новых разработках стоит рассмотреть более современные аналоги из серий OptiMOS 3 и выше для повышения энергоэффективности.