Infineon IPP100N08N3G

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET-транзистора Infineon IPP100N08N3G.

Общее описание

IPP100N08N3G — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 3. Он предназначен для применения в мощных и высокоэффективных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, моторных приводах и системах управления питанием (например, в схемах синхронного выпрямления).

Ключевые особенности, которые сделали эту линейку популярной:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
• Высокая стойкость к лавинным пробоям (100% тестирование): Надежность в условиях индуктивных нагрузок и выбросов напряжения.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери на переключение.
• Соответствие стандарту RoHS: Без содержания свинца.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | OptiMOS 3 (Trench) | | | Корпус | TO-220 | | | Полярность | Single | | | Сток-исток напряжение (Vds) | 80 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток стока (Id) | 100 А | При Tc = 25°C | | Ток стока (Id) | 70 А | При Tc = 100°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | < 3.5 мОм | Тип. 2.8 мОм при Vgs = 10 В | | | < 4.5 мОм | Тип. 3.6 мОм при Vgs = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2 - 4 В | Стандартный диапазон для логического уровня | | Заряд затвора (Qg) | ~ 130 нКл | При Vgs = 10 В (типовое) | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | | | Мощность рассеяния (Pd) | 333 Вт | При Tc = 25°C (ограничено корпусом) | | Диод сток-исток (Body Diode) | Встроенный | Параметры: Vsd = 1.3 В (тип.) при Is = 100 А | | Температура хранения/перехода | -55 ... +150 °C | Макс. Tj = 150°C | | Стойкость к лавинному пробою (Eas) | > 1 Дж | Указана в даташите, 100% тестирование |

Основные преимущества: Идеальный баланс между низким Rds(on), хорошей скоростью переключения и надежностью. Оптимален для применений с напряжением шины 12В, 24В, 48В.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

У одного и того же кристалла может быть несколько парт-номеров в зависимости от корпуса, упаковки или маркировки.

Прямые аналоги от Infineon (тот же кристалл, другие корпуса):

• IPP100N08N3GXKSA1 – Тот же транзистор, но в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый корпус с изолированной металлической пластиной, не требует изолирующей прокладки, но имеет чуть худший тепловой контакт).
• IPB100N08N3G – Аналог в корпусе TO-263 (D2PAK) для поверхностного монтажа (SMD).
• IPD100N08N3G – Аналог в корпусе TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа (меньшая мощность).

Функционально совместимые модели (Cross-Reference) от других производителей:

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on) (при том же Vgs), Qg, корпус и цоколевку.

• International Rectifier (IR): IRFB4110GPbF (100В, 180А, Rds(on) ~ 3.7 мОм). Более старое поколение, часто используется как аналог.
• Vishay Siliconix: SUD100N08-10P (80В, 100А, Rds(on) ~ 4.0 мОм).
• ON Semiconductor: FDP100N08 (80В, 100А, Rds(on) ~ 4.5 мОм).
• STMicroelectronics: STP100N8F7 (80В, 100А, Rds(on) ~ 3.8 мОм).
• Nexperia: Не имеет прямого аналога в этом классе мощности, предлагает решения в других корпусах.

Важное замечание: Несмотря на функциональную совместимость, характеристики (особенно динамические: Qg, Ciss, время переключения) и надежность (стойкость к лавинному пробою) могут отличаться. Всегда требуется тщательное изучение даташитов перед заменой в критичных по эффективности или надежности схемах.

Области применения

1. Силовые источники питания: Высокочастотные DC-DC преобразователи, синхронные выпрямители в блоках питания серверов, телекоммуникации.
2. Управление двигателями: ШИМ-инверторы, приводы моторов в промышленности, электромобильности (низковольтные системы), силовые оконечные каскады.
3. Системы управления батареями (BMS): Мощные ключи разряда/заряда.
4. Сварочное оборудование: Инверторные модули.
5. Усилители класса D (автомобильные аудиосистемы).

Резюме

Infineon IPP100N08N3G — это проверенный временем, надежный и высокопроизводительный MOSFET, который остается отличным выбором для множества мощных приложений. Его основными конкурентными преимуществами являются очень низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая перегрузочная способность и подтвержденная надежность. При замене аналогами необходимо уделять внимание не только статическим, но и динамическим параметрам.