Infineon IRF60B217

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon IRF60B217.

Общее описание

IRF60B217 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5 от Infineon. Это высокоэффективный компонент, разработанный для приложений, где критически важны минимальные потери на проводимость и переключение, а также высокая надежность.

Ключевая область применения: Силовые преобразователи с жесткими требованиями к КПД, особенно в:

• Высокочастотных импульсных источниках питания (SMPS)
• Синхронных выпрямителях
• DC-DC преобразователях (включая понижающие, повышающие, мостовые схемы)
• Системах управления двигателями (например, в сервоприводах)
• Солнечных инверторах

Основные преимущества:

• Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 2.1 мОм при 10 В, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
• Высокая эффективность: Оптимизирован для работы на частотах выше 100 кГц.
• Низкое пороговое напряжение затвора: Совместим со стандартными драйверами.

Технические характеристики (кратко)

• Тип: N-канальный MOSFET
• Технология: OptiMOS™ 5
• Корпус: TO-220 (Through-Hole, с отверстиями для крепления)
• Полярность: Enhancement Mode (нормально закрытый)

Предельные электрические параметры (Absolute Maximum Ratings):

• Сток-исток напряжение (Vds): 60 В
• Сток-исток импульсное напряжение (Vdss): 60 В
• Стоковый ток (Id) при Tc=25°C: 217 А
• Стоковый ток (Id) при Tc=100°C: 150 А
• Импульсный ток стока (Idm): 870 А
• Рассеиваемая мощность (Pd): 330 Вт (при условии идеального теплоотвода)
• Температура перехода (Tj): от -55°C до +175°C
• Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В

Электрические характеристики (Typical/Key Parameters):

• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on)):
  • ≤ 2.1 мОм при Vgs = 10 В
  • ≤ 2.8 мОм при Vgs = 4.5 В
• Заряд затвора (Qg): ~ 150 нКл (типовое)
• Входная емкость (Ciss): ~ 5800 пФ
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2.0 - 4.0 В

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Важно понимать, что полное наименование включает в себя не только базовый номер, но и суффиксы, обозначающие корпус и упаковку.

Полное официальное наименование от Infineon:

• IRF60B217 — это базовая часть номера.
• Наиболее распространенный вариант в корпусе TO-220: IRF60B217PBF
  • PBF — обозначает "Lead-Free" (бессвинцовый), что является современным стандартом.

Совместимые и аналогичные модели (прямые аналоги или близкие по характеристикам):

1. От Infineon (OptiMOS 5, 60В):

• IRF60B212 — 1.2 мОм, ток до 300А (более мощный, обычно дороже).
• IRF60B214 — 1.4 мОм, ток до 270А.
• IRF60B216 — 1.6 мОм, ток до 250А.
• IRF60B218 — 2.5 мОм, ток до 190А (менее мощный).
• IPP060N06N5 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (без выступающей металлической пластины, с изолированной задней поверхностью). Имеет схожие параметры Rds(on) ~ 1.7 мОм.

2. От других производителей (Внимание! При замене необходим тщательный анализ даташитов):

• Vishay (SiHP): SQJ460EP-T1_GE3 (60 В, 2.0 мОм, 210А) — очень близкий аналог.
• ON Semiconductor (Fairchild): FDPF61N06T (60 В, 2.1 мОм, 61А) — внимание, ток значительно ниже, подходит не для всех применений.
• STMicroelectronics: STP160N6F7 (60 В, 1.6 мОм, 160А) — хороший аналог по параметрам.
• Nexperia: PSMN4R6-60YS (60 В, 4.6 мОм, 100А) — не является прямым аналогом (выше Rds(on), меньше ток), но может использоваться в менее требовательных схемах на той же позиции.

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet). Нельзя менять транзистор только по номеру. Проверьте:
   • Rds(on) при вашем рабочем Vgs (часто 10В или 4.5В).
   • Ток (Id) при нужной температуре корпуса.
   • Заряды затвора (Qg, Qgd) — это критично для драйвера и потерь на переключение.
   • Распиновку (Pinout) корпуса.
   • Емкости (Ciss, Coss, Crss).
2. Корпус: Обратите внимание на тип (TO-220, TO-220FP, D²PAK и т.д.) и возможность монтажа/охлаждения.
3. Производитель: OptiMOS от Infineon имеет специфические динамические характеристики. Прямая замена на аналог другого бренда может потребовать проверки работы на реальной частоте и нагрузке.

Вывод: IRF60B217 (PBF) — это высококачественный, высокоэффективный MOSFET для требовательных применений среднего и высокого тока. При поиске замены в первую очередь стоит рассматривать другие транзисторы из линейки Infineon OptiMOS 5 60В, а затем уже проводить тщательный подбор среди аналогов от Vishay, STM или ON Semi.