Infineon IRFP044N

тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IRFP044N
Конечно, вот подробное описание мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFP044N.
Описание
Infineon IRFP044N — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, разработанный с использованием передовой технологии HEXFET. Он принадлежит к серии International Rectifier (ныне часть Infineon Technologies), которая славится своей высокой надежностью и производительностью.
Этот транзистор предназначен для применения в силовой электронике, где требуются высокие токи и напряжения. Его ключевыми преимуществами являются:
- Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает малые потери мощности при коммутации больших токов, что повышает общий КПД системы и снижает нагрев.
- Высокая скорость переключения: Позволяет эффективно работать в импульсных источниках питания (SMPS), DC-DC преобразователях и ШИМ-контроллерах.
- Высокая устойчивость к перегрузкам: Рейтинг тока до 49А (при условии эффективного охлаждения) делает его устойчивым к кратковременным пиковым нагрузкам.
- Превосходная способность к лавинному пробою (Avalanche Ruggedness): Транзистор может рассеивать энергию, возникающую при возникновении лавинного пробоя (например, от индуктивных выбросов напряжения), что повышает надежность схемы в жестких условиях.
Основные области применения:
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Низкочастотные инверторы и преобразователи напряжения
- Системы управления двигателями (например, в станках, электроприводах)
- Усилители класса D (автомобильные и стационарные)
- Силовые регуляторы и контроллеры
- Схемы плавного пуска (soft-start)
Технические характеристики (краткий даташит)
| Параметр | Значение / Описание | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (HEXFET) | | | Стандартный партномер | IRFP044NPBF (PBF означает "без свинца", современное обозначение) | | | Корпус | TO-247AC | | | Максимальное напряжение "сток-исток" (VDSS) | 55 В | | | Максимальный непрерывный ток стока (ID) | 49 А | TC = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 160 А | | | Сопротивление "сток-исток" в открытом состоянии (RDS(on)) | < 0.024 Ом (макс.) | VGS = 10 В, ID = 25 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th))| 2.0 - 4.0 В | ID = 250 мкА | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGS)| ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg (тип.)) | 78 нКл | VGS = 10 В | | Время включения (td(on) + tr) | 56 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 49 нс (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 130 Вт | TC = 25°C | | Диод "сток-исток" | Есть (интегрированный обратный диод) | |
Важное примечание: Для рассеивания заявленной мощности в 130 Вт обязательно использование массивного теплоотвода. Без радиатора транзистор сможет рассеять лишь 1-2 Вт.
Парт номера (Part Numbers)
Официальное и самое распространенное обозначение для заказа:
- IRFP044NPBF — современный бессвинцовый (RoHS-совместимый) вариант. Именно этот номер следует использовать при поиске и заказе у официальных дистрибьюторов.
Исторически или в старых запасах может встречаться:
- IRFP044N — устаревшее обозначение, может содержать свинец в выводах.
Совместимые и аналогичные модели (Прямые и близкие аналоги)
При поиске аналога важно смотреть на ключевые параметры: VDSS, ID, RDS(on) и корпус.
Прямые аналоги (от других производителей):
- STMicroelectronics: STP55NF06L (60V, 55A, RDS(on)=0.017 Ohm) — очень популярный и часто более доступный аналог.
- Vishay / Siliconix: SUP50N06-18 (60V, 50A, RDS(on)=0.018 Ohm)
- ON Semiconductor (Fairchild): FQP50N06 (60V, 50A, RDS(on)=0.022 Ohm) — в корпусе TO-220 (менее мощный).
- Texas Instruments: CSD19536KCS (60V, 50A, RDS(on)=0.017 Ohm) — более современная технология.
Близкие аналоги от Infineon (для замены в новых проектах):
- IRFP064N (55V, 110A, RDS(on)=0.012 Ohm) — более мощный.
- IRFP250N (200V, 30A, RDS(on)=0.075 Ohm) — на большее напряжение, но с большим сопротивлением.
- IRFP4468PBF (60V, 130A, RDS(on)=0.0036 Ohm) — гораздо более современная и эффективная модель.
Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами, особенно обращайте внимание на распиновку (pinout) корпуса и характеристики внутреннего диода, если он критичен для вашей схемы. Для высокочастотных схем также crucial являются параметры заряда затвора (Qg) и емкости.