Infineon IRFP4229PBF
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IRFP4229PBF
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFP4229PBF.
Описание
IRFP4229PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET®. Он предназначен для применения в высоковольтных и сильноточных ключевых схемах, где важны высокий КПД и надежность.
Ключевые особенности и области применения:
- Высокое напряжение: Предназначен для работы в цепях до 250 В, что делает его идеальным для сетевых (off-line) преобразователей.
- Большой ток: Способен коммутировать токи до 64 А (при температуре корпуса 25°C).
- Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Очень низкое значение — всего 19.5 мОм — минимизирует проводимые потери и нагрев в открытом состоянии.
- Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET® обладает высокой скоростью переключения, что снижает динамические потери.
- Улучшенная стойкость к лавинным процессам (100% тестирование): Обладает высокой энергией лавинного пробоя, что повышает надежность в индуктивных нагрузках (например, в импульсных источниках питания, моторных приводах).
- Планарная технология: Обеспечивает низкий заряд затвора и высокую стабильность параметров.
Типичные применения:
- Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникаций, промышленного оборудования.
- Мостовые и полумостовые схемы (H-Bridge).
- Приводы двигателей постоянного тока (DC Motor Drives).
- Инверторы и преобразователи мощности (UPS, сварочные аппараты).
- Силовые ключи в аудиоусилителях класса D.
Основные технические характеристики (ТТХ)
| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | Enhancement Mode | | Корпус | TO-247AC | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор | | Напряжение "Сток-Исток" (Vdss) | 250 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (Id) | 64 А | При Tc=25°C | | Ток стока (Id) | 40 А | При Tc=100°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 19.5 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=32 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Vds=Vgs, Id=250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | ~ 130 нКл (тип.) | Vgs=10 В, Id=32 А (ключевой параметр для расчета драйвера) | | Время нарастания (tr) / спада (tf) | 60 нс / 40 нс (тип.) | | | Макс. мощность рассеяния (Pd) | 330 Вт | При Tc=25°C (зависит от условий теплоотвода) | | Диод "Сток-Исток" (Internal Diode) | Есть | Интегрированный обратный диод (Body Diode) | | Макс. температура перехода (Tj) | +175 °C | | | Упаковка | Транзистор поштучно (обычно в антистатической упаковке) | |
Парт-номера и прямые аналоги
1. Прямые аналоги от Infineon (могут иметь незначительные отличия в Rds(on) или упаковке):
- IRFP4242PBF – Очень близкий аналог, часто взаимозаменяем.
- IRFP4332PBF – Более высокое напряжение (500В), но ниже ток.
- IRFP450PBF / IRFP460PBF – Классические модели с напряжением 500В/600В, но с более высоким Rds(on).
2. Совместимые модели от других производителей (Функциональные аналоги в корпусе TO-247): При замене обязательно сверяться с даташитом, особенно по распиновке (pinout), пороговому напряжению Vgs(th) и динамическим характеристикам (Qg, Ciss).
- STMicroelectronics:
- STP60NF25 (250В, 60А, Rds(on)=0.025 Ом) — очень популярный и часто используемый аналог.
- STW45NM50 (500В, 45А) — для более высокого напряжения.
- Vishay / Siliconix:
- SUP60N25-25 (250В, 60А, Rds(on)=0.025 Ом).
- Fairchild / ON Semiconductor:
- FQP65N25 (250В, 65А, Rds(on)=0.019 Ом) — практически полный аналог.
- International Rectifier (IR):
- IRFP250PBF (200В, 30А) — более старый и менее мощный, но в схемах с запасом по току может подойти.
3. Кросс-ссылки и популярные парт-номера в заказах:
- IRFP4229 (основное название)
- IRFP4229PBF (с указанием бессвинцовой технологии)
- IRFP4229PBF-ND (популярный номер для заказа у дистрибьюторов, например, Digi-Key)
Важные замечания при замене и использовании:
- Распиновка (Pinout): У большинства аналогов в корпусе TO-247 стандартная распиновка: 1 - Затвор (Gate), 2 - Сток (Drain), 3 - Исток (Source). Но всегда лучше проверить.
- Драйвер затвора: Из-за значительного заряда затвора (Qg ~130 нКл) для быстрого переключения необходим мощный драйвер с достаточным выходным током (например, IR2110, IR2184, специализированные микросхемы драйверов).
- Теплоотвод: При максимальных токах рассеиваемая мощность очень велика. Обязательно использование массивного радиатора. Корпус TO-247AC изолирован от кристалла, но для электрической изоляции может потребоваться слюдяная или керамическая прокладка и изолирующая втулка.
- Паразитная индуктивность: При монтаже в импульсных схемах с высокими di/dt необходимо минимизировать длину проводников в силовой цепи (особенно цепи "Исток") для избегания паразитных выбросов напряжения.
Рекомендация: Перед заменой в критичных схемах всегда изучайте полный даташит обоих компонентов, уделяя внимание разделам Safe Operating Area (SOA) и динамическим характеристикам.