Infineon IRG4IBC30UD

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для IGBT-транзистора Infineon IRG4IBC30UD.

Описание

IRG4IBC30UD — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в одном корпусе. Он принадлежит к серии IRGB4, которая оптимизирована для высокочастотных инверторных приложений, требующих высокой эффективности и надежности.

Ключевые особенности и применение:

• Высокочастотное переключение: Благодаря технологии TrenchStop и ультрабыстрому диоду, он минимизирует коммутационные потери, что делает его идеальным для работ на частотах выше 20 кГц.
• Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)): Обеспечивает низкие проводимые потери в открытом состоянии.
• Встроенный ультрабыстрый обратный диод: Позволяет эффективно работать в инверторных схемах без необходимости внешнего диода.
• Повышенная стойкость к короткому замыканию (SCSOA): Обладает повышенной надежностью в аварийных режимах.
• Основные области применения:
  • Инверторы для сварочных аппаратов (MMA, TIG, MIG/MAG)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Высокочастотные инверторы и преобразователи
  • Системы управления двигателями (привода малой и средней мощности)

Основные технические характеристики

Параметры приведены при температуре корпуса 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение | V_CES | 600 | В | | Постоянный ток коллектора (при 100°C) | I_C @100°C | 15 | А | | Импульсный ток коллектора (макс.) | I_CM | 30 | А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) (тип.) | 1.65 @ I_C=15A | В | | Падение на встроенном диоде | V_EC (тип.) | 1.8 @ I_F=15A | В | | Энергия включения | E_on (тип.) | 0.38 | мДж | | Энергия выключения | E_off (тип.) | 0.18 | мДж | | Заряд обратного восстановления диода | Q_rr (тип.) | 0.21 | мкКл | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 1.0 | °C/Вт | | Максимальная температура перехода | T_j (max) | 150 | °C | | Корпус | - | TO-247 (также известен как TO-3PF) | - |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Это оригинальные номера Infineon для одного и того же компонента в разных типах поставки:

• IRG4IBC30UDPBF – Стандартная версия в трубке/лотке. "PBF" означает "Lead-Free" (бессвинцовый).
• IRG4IBC30UD-EP – Версия с расширенным температурным диапазоном или особыми условиями поставки (встречается реже).

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены важно сверять не только основные параметры (Vces, Ic), но и динамические характеристики (Eon/Eoff, Qrr), корпус и распиновку.

Ближайшие прямые аналоги (с ультрабыстрым диодом, TO-247):

• Fairchild / ON Semiconductor: FGH15N60UFD (600V, 15A, ультрабыстрый диод, TO-247). Один из самых популярных аналогов.
• STMicroelectronics: STGW15NC60HD (600V, 15A, быстрый диод, TO-247). Серия HD также оптимизирована для высокой частоты.
• Fuji Electric: 15N60 (необходимо уточнять наличие встроенного диода и суффикс, например, -UF).
• Toshiba: GT15Q101 (600V, 15A, TO-247).

Аналоги с близкими параметрами (перед заменой обязательна проверка даташита):

• IRG4BC30UD / IRG4BC30U – Аналогичная серия от Infineon, но с более низким напряжением Vces = 600В (вместо 600В у IBC). Внимание! Это ключевое различие. IRG4BC30UD может не подойти в схемах, рассчитанных на запас по напряжению от IRG4IBC30UD.
• IRG4PC30UD / IRG4PC30U – Аналоги от Infineon с напряжением Vces = 600V и током Iс = 21А @100°C. Мощнее, часто используется в параллельных схемах или для замены с запасом по току. Корпус TO-247.
• H20R1202, H20R1203 – IGBT-модули (обычно содержат два транзистора в полумостовой схеме), но могут использоваться в схемах, где IRG4IBC30UD стоит в паре.

Важные замечания при замене:

1. Распиновка: Все перечисленные аналоги в корпусе TO-247 имеют стандартную распиновку (1 - Gate, 2 - Collector, 3 - Emitter).
2. Характеристики диода: Для высокочастотных схем критически важны параметры встроенного диода (Qrr, trr). Аналог FGH15N60UFD здесь наиболее близок.
3. Схема драйвера: Из-за возможных отличий в емкости затвора (Cies) и пороговом напряжении (Vge(th)) после замены желательно проверить форму сигналов на реальной схеме.
4. Проверка оригинала: Убедитесь, что на вашем транзисторе написано именно IRG4IBC30UD, а не похожие IRG4BC30U или IRG4PC30U, так как их характеристики различаются.

Рекомендация: Для гарантированной работы в критичных приложениях (например, сварочный инвертор) лучшей заменой является FGH15N60UFD или оригинальный IRG4IBC30UDPBF. Перед установкой нового компонента всегда проверяйте целостность остальных элементов схемы (драйверы, резисторы в затворе, снабберы).