Infineon SGB02N120ATMA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon SGB02N120ATMA1.

Общее описание

Infineon SGB02N120ATMA1 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и других силовых преобразовательных устройствах, где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевые преимущества этой серии:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и нагрев.
• Высокое рабочее напряжение (1200 В): Позволяет работать в сетевых схемах (220/380В) с запасом по напряжению.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора и выходной емкости.
• Отличная устойчивость к динамическим процессам (dv/dt): Повышает надежность в жестких условиях коммутации.

Основная область применения: Высокоэффективные источники питания для промышленного оборудования, серверов, телекоммуникаций, систем осверения (LED драйверы) и бытовой электроники.

Технические характеристики (Ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) | Enhancement mode | | Корпус | TO-263-3 (D2PAK) | Плоский корпус для поверхностного монтажа (SMD), удобен для отвода тепла. | | Структура | Планар | | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (I_D) | 2.3 А при T_c=100°C | Максимальный ток в открытом состоянии. | | Импульсный ток стока (I_DM) | 9.2 А | | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 4.5 Ом (макс.) при V_GS=10 В | Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Q_g) | 10 нКл (тип.) | Влияет на потери при переключении. | | Входная емкость (C_iss) | 145 пФ (тип.) | | | Выходная емкость (C_oss) | 12 пФ (тип.) | | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 48 Вт | Зависит от условий теплоотвода. | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | 0.35 мкКл (тип.) | Важно для работ в режиме коррекции коэффициента мощности. | | Температура перехода (T_j) | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера и прямые аналоги

Этот компонент имеет несколько стандартных обозначений в зависимости от системы нумерации и упаковки.

• SGB02N120ATMA1 – Полное основное название (в корпусе D2PAK на катушке для автоматического монтажа).
• SPB02N120ATMA1 – Аналог в корпусе TO-220 (для монтажа в отверстия с теплоотводом).
• SGB02N120AT – Базовое название без указания упаковки.
• 02N120AT – Сокращенное обозначение, часто используемое в схемах.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены необходимо сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, Q_rr), а также цоколевку корпуса.

Аналоги от Infineon (более новые/старые серии):

• IPP02N120ATMA1 – Аналог из серии CoolMOS™ P6 (более новая и эффективная серия, часто является рекомендуемой заменой).
• SPB02N120S5-03 (из серии CoolMOS S5) – Более современная серия с улучшенными показателями.
• SPP02N120C3 (из серии CoolMOS C3) – Старая, но широко распространенная серия.

Аналоги от других производителей (Функционально совместимые):

• STMicroelectronics: STP2N120, STW2N120 (серии MDmesh™).
• ON Semiconductor: FCP2N120, NCP2N120 (серии SuperFET II).
• Fairchild/ON Semi: FCP2N120.
• Toshiba: TK2N120W.
• IXYS: IXFH2N120.

Важное примечание по замене: Перед установкой аналога обязательно необходимо свериться с даташитами обоих компонентов, уделив внимание:

1. Распиновке корпуса (расположение Gate, Drain, Source).
2. Характеристикам внутреннего диода (Q_rr, t_rr).
3. Зависимостям ключевых параметров от температуры.
4. Рекомендациям по драйверу затвора (необходимый ток, резистор в затворе).

Для новых разработок Infineon рекомендует использовать более современные серии, такие как CoolMOS™ P7 или G7, которые предлагают лучшие показатели эффективности.