Infineon TDB6HK180N16RR_B11

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для силового транзистора Infineon TDB6HK180N16RR_B11.

Краткое описание

Infineon TDB6HK180N16RR_B11 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 6 160V. Он предназначен для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике, где критичны низкие потери на проводимость и переключение, а также высокая надежность.

Ключевые особенности и применение:

• Основное назначение: Высокочастотные импульсные источники питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким и резонансным переключением (например, LLC-преобразователи, корректоры коэффициента мощности (PFC)).
• Целевые рынки: Серверное и телекоммуникационное оборудование, промышленные системы питания, мощные блоки питания для ПК и игровых консолей, инверторы для солнечной энергетики.
• Преимущества OptiMOS™ 6:
  • Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Прямо ведет к снижению потерь на проводимость и повышению КПД.
  • Высокая скорость переключения: Позволяет увеличить рабочую частоту, что уменьшает габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
  • Оптимизированные динамические характеристики: Низкие заряды затвора (Qg) и выходной заряд (Qoss) снижают потери при переключении.
  • Высокая стойкость к лавинным breakdown (UIS): Обеспечивает надежность при работе в сложных условиях.

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | OptiMOS™ 6 | | | Корпус | TO-263-7 (D²PAK-7) | Также известен как DDPAK. Имеет 7 выводов (5 силовых + 2 для затвора), что снижает паразитную индуктивность. | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 160 В | Максимальное напряжение блокировки. | | Постоянный ток стока (ID) | 180 А | При TC = 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 720 А | Максимальный единичный импульс. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | ~1.6 мОм (макс.) | Типичное значение ~1.3 мОм. При VGS = 10 В, ID = 90 А, TJ = 25°C. Ключевой параметр. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.3 - 3.9 В | Стандартный диапазон. | | Максимальное напряжение затвор-исток (±VGS) | ±20 В | | | Заряд затвора (Qg) | ~150 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Важно для расчета драйвера. | | Выходной заряд (Qoss) | ~680 нКл (тип.) | Влияет на потери при переключении. | | Диод обратного восстановления (Qrr) | ~160 нКл (тип.) | Низкое значение для снижения потерь в обратном диоде. | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | ~690 Вт | При TC = 25°C. На практике ограничивается тепловым сопротивлением. | | Тепловое сопротивление (RthJC) | ~0.18 К/Вт | Переход-корпус. Низкое значение, обеспечивает хороший отвод тепла. | | Диапазон рабочей температуры (TJ) | -55 ... +175 °C | |

Парт-номера и аналоги (Cross-Reference)

Этот компонент является частью семейства OptiMOS™ 6 160V. Прямыми функциональными аналогами в том же корпусе (TO-263-7) и с близкими характеристиками являются:

От Infineon (внутренние аналоги и вариации):

• IPTB6HK180N16ATMA1 — Ближайший аналог в корпусе TO-263-7. Идентичные или очень близкие электрические параметры.
• IPTC6HK180N16ATMA1 — Аналог в корпусе TO-262-7 (слегка меньший корпус).
• Модели из той же серии с другим сопротивлением RDS(on) (например, TDB6HK110N16RR_B11 — 110А, TDB6HK220N16RR_B11 — 220А) — выбор зависит от требуемого тока.

Совместимые / конкурирующие модели от других производителей:

• ON Semiconductor (ныне onsemi): Модели серии NVMFS5C410N (100V, но для схожих применений) или аналоги в линейке 150-200V.
• Vishay Siliconix: Модели из серии SIC с напряжением 150-200V в корпусе D²PAK-7 (например, SQJB150E).
• STMicroelectronics: Модели серии STL или STP в корпусе PowerFLAT 8x8 (например, STL320N6F7), но требуется проверка распиновки и тепловых характеристик.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS): Модели серии AOT в корпусе TO-263-7.

Важные замечания по совместимости:

1. Корпус и монтаж: При замене критически важно совпадение корпуса (TO-263-7). Аналоги в TO-220 или TO-247 не подойдут для той же посадочной места на плате.
2. Электрические параметры: Необходимо сверять ключевые параметры: VDS, ID, RDS(on), Qg, Qoss. Даже при совпадении номинального напряжения и тока, динамические характеристики могут сильно отличаться, что повлияет на КПД и тепловой режим.
3. Распиновка (Pinout): Распиновка 7-выводных корпусов может отличаться у разных производителей. Требуется проверка по даташиту.

Рекомендации по применению и замене

• Драйвер затвора: Для эффективного управления таким мощным MOSFET необходим драйвер с достаточным выходным током (рекомендуется >2А) для быстрой зарядки/разрядки затвора, что минимизирует время переключения.
• Теплоотвод: Несмотря на низкое RthJC, компонент рассеивает значительную мощность. Обязательно использование качественного теплоотвода с термопастой. Расчет теплового режима обязателен.
• Петли коммутации: При монтаже необходимо минимизировать паразитную индуктивность в силовой цепи (сток-исток) и цепи затвора. Использование рекомендованной обвязки (керамический конденсатор VCC-Source драйвера, снабберы при необходимости).
• Замена: При поиске аналога первым делом следует искать модель IPTB6HK180N16ATMA1 от Infineon. Это наиболее гарантированная замена. Использование аналогов от других производителей требует тщательного анализа даташитов и, желательно, тестирования в реальной схеме.

Для точного подбора аналога всегда используйте официальные даташиты и инструменты cross-reference на сайтах производителей (Infineon, Digi-Key, Mouser).