Emerson J100G

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для Emerson J100G.

Общее описание

Emerson J100G — это планарный (плоский) транзистор IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для применения в силовой электронике. Он является частью популярной серии "J-Series" от Emerson (ранее известной как Motorola, затем ON Semiconductor, а теперь снова выделенная в отдельную компанию Emerson).

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Предназначен для использования в качестве ключевого элемента в инверторах, частотных преобразователях (ЧП), сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других устройствах, где требуется эффективное коммутирование высоких напряжений и токов.
• Конструкция: Планарная технология обеспечивает лучшую стабильность параметров, более низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)) и повышенную стойкость к перегрузкам по току и короткому замыканию по сравнению со старыми технологиями.
• Встроенный диод: IGBT J100G имеет встроенный быстровосстанавливающийся диод (FRD) между коллектором и эмиттером, что позволяет использовать его в мостовых схемах без необходимости установки внешних обратных диодов.

Технические характеристики (ТТХ)

Основные электрические параметры при температуре 25°C, если не указано иное:

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | Vces | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора | Ic | 100 А | При Tc=100°C (номинальный ток) | | Ток коллектора (импульсный) | Icm | 200 А | Максимальный импульсный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Vce(sat) | ~2.8 В (тип.) | При Ic=100А, Vge=15В (ключевой параметр потерь) | | Пороговое напряжение затвора | Vge(th) | 5.0 - 6.5 В | Стандартное для IGBT, требует драйвера | | Сопротивление в открытом состоянии | Rce(on) | ~28 мОм (тип.) | Следствие низкого Vce(sat) | | Энергия включения/выключения | Eon / Eoff | ~15/8 мДж (тип.) | При 600В, 100А, влияет на частотные потери | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot | 600 Вт | При Tc=25°C | | Температура перехода | Tj | -55 до +150 °C | Рабочий диапазон | | Заряд затвора | Qg | ~250 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера | | Корпус | - | TO-264 | Самый распространенный 3-выводной корпус для такой мощности |

Важно: Для точного подбора и расчета потерь необходимо использовать официальный даташит (datasheet) на конкретную ревизию прибора.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Emerson (ON Semiconductor) часто использует единую маркировку на корпусе. Однако в спецификациях и для заказа могут использоваться полные номера.

• Основной парт-номер: J100G120

  • J — серия.
  • 100 — номинальный ток коллектора (100А).
  • G — обозначение типа/поколения.
  • 120 — напряжение (x10) = 1200В.

• Полный номер для заказа (пример): J100G120-ND (вариант для дистрибьютора) или просто J100G120.

• Маркировка на корпусе: Обычно нанесена J100G120.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые аналоги и замены)

При поиске аналога или замены необходимо сверять ключевые параметры: Vces (1200В), Ic (100А), корпус (TO-264) и наличие встроенного диода.

1. Прямые аналоги от других производителей (Cross-Reference):

• Infineon: IGW100N120H3 (очень близкий и популярный аналог).
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120 (модуль на 2 IGBT, но по параметрам).
• STMicroelectronics: STGW100H120DF (также с диодом).
• MITSUBISHI Electric: CM100DU-12NF (старый, но проверенный двойной модуль).
• IR (International Rectifier): IRGP100B120U (аналог от Infineon, который поглотил IR).

2. Совместимые модели в линейке Emerson / ON Semi:

Можно заменять на модели той же серии "J" с равным или большим напряжением и током, но необходимо проверять цоколевку и характеристики драйвера.

• J50G... (50А) — НЕ ПОДХОДИТ, меньший ток.
• J75G120 (75А) — можно только если запас по току в схеме большой, но не рекомендуется.
• J150G120 (150А) — подходит как усиленная замена (больший ток, возможно, чуть другие динамические характеристики).
• J100G... с другим напряжением (например, J100G60 на 600В) — НЕ ПОДХОДИТ, если в схеме есть 1200В.

3. Для ремонта инверторов/частотников:

В конкретных моделях преобразователей часто используются сборки (модули), где два IGBT (верхний и нижний ключ) находятся в одном корпусе (например, CM100DU-12NF). Один модуль может заменять два отдельных IGBT (как J100G), но это требует изменения монтажа на плате.

• Распространенный модуль-аналог (полумост): CM100DU-12NF (Mitsubishi) или SKM100GB12T4 (Semikron).

ВАЖНОЕ ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Перед заменой всегда:

1. Проверяйте причину выхода из строя старого IGBT (драйверы, снабберы, терминал).
2. Сверяйтесь с оригинальным даташитом и даташитом на аналог по всем критичным параметрам, особенно по заряду затвора (Qg), емкостям и динамическим характеристикам.
3. Убедитесь в совместимости драйвера затвора.