Mitsubishi BN634A639G51

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для Mitsubishi BN634A639G51.

Общее описание

Mitsubishi BN634A639G51 — это высоковольтный силовой IGBT-транзистор (БТИЗ) в популярном корпусе TO-247 Plus (также известен как TO-247-3L или Super-247). Этот корпус отличается увеличенными выводами и улучшенным теплоотводом по сравнению со стандартным TO-247.

Этот транзистор является ключевым элементом в силовой электронике, где требуется эффективное и быстрое переключение больших токов при высоких напряжениях. Он широко используется в промышленных приложениях.

Основные области применения:

• Промышленные инверторы и частотные преобразователи (для управления электродвигателями).
• Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности.
• Сварочное оборудование (инверторные сварочные аппараты).
• Системы плавного пуска электродвигателей.
• Силовые импульсные источники питания (SMPS).

Технические характеристики

В основе компонента лежит технология CSTBT™ (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi, которая обеспечивает низкое напряжение насыщения и высокую скорость переключения.

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение | VCES | 600 | В | | Постоянный ток коллектора | IC | 75 | А (при Tc=25°C) | | Ток коллектора (импульсный) | ICP | 150 | А | | Мощность рассеяния | PC | 300 | Вт (при Tc=25°C) | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | VCE(sat) | 1.65 (тип.) | В (при IC=75A, VGE=15V) | Низкие потери проводимости | | Падение напряжения на внутреннем диоде | VF | 2.10 (тип.) | В (при IF=75A) | | Заряд обратного восстановления | Qrr | 1.40 (тип.) | мкКл | Важно для потерь при переключении | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) | 0.42 | °C/Вт | Показывает эффективность отвода тепла | | Максимальная температура перехода | Tj | +150 | °C | | | Корпус | TO-247 Plus | — | Изоляционный (непроводящий) корпус |

Ключевые особенности:

• Встроенный быстрый обратный диод (FWD): Позволяет использовать транзистор в мостовых схемах без необходимости установки внешних диодов.
• Низкое VCE(sat): Обеспечивает высокий КПД и меньший нагрев при работе.
• Высокая стойкость к перенапряжениям: Позволяет работать в сложных условиях с коммутационными выбросами.

Парт-номера и прямые аналоги

Официальный номер Mitsubishi для заказа: BN634A639G51.

Прямые аналоги и кроссповеры от других производителей (с аналогичными или очень близкими параметрами 600В / 75А в корпусе TO-247):

• Infineon: IGW75N60T, IGW75N60H3
• Fuji Electric: 2MBI75N-060
• ON Semiconductor: FGH75N60SMD (очень популярный и распространенный аналог).
• STMicroelectronics: STGW75H60DFB
• IXYS: IXGH75N60B3D1

Важно: При замене на аналог необходимо сверять не только основные параметры (VCES, IC), но и динамические характеристики (Qrr, переключательные потери), а также распиновку (pinout), так как в корпусе TO-247 она может различаться.

Совместимые модели и модули

Сам транзистор BN634A639G51 является дискретным компонентом. Он совместим для замены или ремонта в устройствах, где использовались оригинальные модули или сборки Mitsubishi на базе этого чипа, а также его прямых аналогов.

Часто он используется как "строительный кирпич" для создания полумостовых (Half-Bridge) или трехфазных мостовых (3-Phase Inverter Bridge) сборок.

Примеры совместимых силовых модулей Mitsubishi, в которых могут использоваться аналогичные или более ранние версии этого IGBT:

• CM75DU-12F (CM75DU12F): Двойной IGBT-модуль (полумост) 600В / 75А.
• CM75DY-12H (CM75DY12H): Двойной IGBT-модуль 600В / 75А.
• PM75DSA120: Модуль интеллектуального силового модуля (IPM) 600В / 75А со встроенными драйверами и защитой.

Где искать информацию для ремонта:

1. На самой плате устройства: Ищите маркировку рядом с слотом транзистора (например, Q1, Q2, TR1, IGBT1).
2. В технической документации (Service Manual) на оборудование (инвертор, ИБП, сварочный аппарат).
3. На корпусе вышедшего из строя транзистора, который требует замены.

Рекомендация: Перед заменой всегда проверяйте всю обвязку транзистора (драйверы, снабберные цепи, термисторы), так как выход IGBT из строя часто является следствием неисправности других компонентов.