Mitsubishi TS5246N556

Отличный выбор! Mitsubishi TS5246N556 — это высококачественный силовой биполярный транзистор (BJT) структуры NPN, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления мощностью. Он известен своей надежностью и часто используется в промышленной и бытовой электронике.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимая информация.

Описание

Mitsubishi TS5246N556 — это NPN транзистор с изолированным коллектором (транзистор в корпусе типа "таблетка", изолированный от радиатора). Ключевая особенность — возможность установки на общий радиатор без изолирующих прокладок, что улучшает теплоотвод и упрощает монтаж.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в силовой части.
• Инверторы (например, для частотных приводов, ИБП).
• Схемы управления двигателями.
• Силовые преобразователи.

Корпус: TO-3P(N) (или его аналоги: TO-247, SC-65). Это самый распространенный пластиковый корпус для мощных транзисторов с отверстием для крепления на радиатор.

Технические характеристики (основные)

Приведены типовые/максимальные значения. Важно: Для проектирования всегда используйте официальный даташит.

| Параметр | Обозначение | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | NPN | Биполярный транзистор | | Корпус | — | TO-3P(N) | Аналог TO-247 | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | 800 В | Максимальное напряжение в открытом состоянии | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | 1000 В | | | Ток коллектора (постоянный) | I_C | 10 А | Максимальный средний ток | | Ток коллектора (импульсный) | I_CP | 20 А | | | Рассеиваемая мощность | P_C | 80 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Коэффициент усиления по току | h_FE | 8 - 40 | Измерено при V_CE=5V, I_C=5A (тип. 15-30) | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер| V_CE(sat) | макс. 2.5 В | При I_C=5A, I_B=1A | | Время включения | t_on | ~1.0 мкс | Характеристики переключения | | Время выключения | t_off | ~4.5 мкс | | | Температура перехода | T_j | -40 ~ +150 °C | |

Парт-номера и прямые аналоги

TS5246N556 — это оригинальный номер Mitsubishi. У транзистора есть несколько типов прямых аналогов от других производителей с идентичными или очень близкими характеристиками и такой же цоколевкой.

Важно: Даже у прямых аналогов всегда проверяйте даташит на полное соответствие критичных параметров в вашей схеме.

Прямые аналоги (с максимально близкими параметрами):

• Fuji Electric: 2SD2560 (один из самых известных и распространенных аналогов)
• Toshiba: 2SC3320, 2SC4242
• Sanken: 2SC3264
• Sanyo (он же ON Semiconductor): 2SC3684
• SGS-Thomson (STMicroelectronics): BU508D (но у BU508D может быть чуть меньшее V_CEO = 700В, требует проверки)

Близкие по характеристикам (требуют проверки в схеме):

• 2SC3866
• 2SC3886
• MJE13009 (распространен, но имеет V_CEO=400В, подходит только для сетей 220В после выпрямителя)

Совместимые модели (взаимозаменяемость)

Транзистор можно заменять на указанные выше аналоги. При замене руководствуйтесь следующими правилами:

1. Напряжение V_CEO: У заменяющего транзистора должно быть не меньше (лучше равно или больше). Для TS5246N556 — минимум 800В.
2. Ток I_C: Должен быть не меньше 10А.
3. Мощность P_C: Должна быть не меньше 80Вт.
4. Коэффициент усиления h_FE: Должен быть в том же порядке (8-40), иначе может потребоваться корректировка тока базы.
5. Скорость переключения: Для импульсных схем важно, чтобы t_on/t_off были сопоставимы.
6. Корпус и цоколевка: Абсолютно идентичны (TO-3P/TO-247).

Где часто встречается: Этот транзистор и его аналоги широко использовались в:

• ИБП (UPS) средний мощности.
• Импульсных блоках питания для профессиональной аудиоаппаратуры, станков.
• Инверторах для люминесцентных ламп.
• Сварочных инверторах (часто в группе из 2-4 штук).

Рекомендация: При замене вышедшего из строя транзистора в ремонте желательно менять парную деталь в схеме (например, второй транзистор в двухтактной схеме) и обязательно проверять всю обвязку (драйверы, резисторы в базе, снабберные цепи), так как причина поломки часто кроется не в самом транзисторе.