Fairchild FDS4935 — Описание и характеристики

Описание

FDS4935 — это двойной P-канальный MOSFET (два полевых транзистора в одном корпусе), производства компании Fairchild Semiconductor (ныне — подразделение onsemi / ON Semiconductor). Транзисторы выполнены по технологии PowerTrench®, которая обеспечивает низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и высокую скорость переключения.

Корпус — SO-8 (SOIC-8), что делает компонент удобным для поверхностного монтажа в компактных схемах. Типовое применение:

• Управление нагрузкой (load switch)
• Схемы защиты от обратного напряжения
• DC-DC преобразователи (понижающие и синхронные выпрямители)
• Зарядные устройства и блоки питания
• Управление двигателями
• Схемы с общим затвором/истоком (в составе одного корпуса два независимых P-MOSFET)

Тип канала: P-channel (P-канал)
Конфигурация: Dual (два независимых MOSFET)
Технология: PowerTrench

Технические характеристики (на каждый транзистор)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип транзистора | P-Channel MOSFET | | Конфигурация | Dual (2 независимых) | | Напряжение сток-исток (VDS) | -30 В | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | Ток стока (ID) при 25°C | -7 А (каждый) | | Ток стока (ID) при 70°C | ок. -5 А | | Сопротивление открытого канала RDS(on) | 21 мОм при VGS = -10 В, ID = -7 А | | RDS(on) при VGS = -4.5 В | ок. 35 мОм | | Пороговое напряжение (VGS(th)) | от -1 В до -3 В | | Заряд затвора (Qg) | ок. 15–16 нКл (типично) | | Входная ёмкость (Ciss) | ок. 1050 пФ | | Выходная ёмкость (Coss) | ок. 320 пФ | | Обратный диод | Встроенный (body diode) | | Рассеиваемая мощность | 2 Вт (на корпус) | | Рабочая температура | -55…+150 °C | | Корпус | SO-8 / SOIC-8 |

Парт-номера и маркировка

Компонент выпускался Fairchild, а затем ON Semiconductor / onsemi. Распространённые парт-номера:

| Парт-номер | Производитель | Примечание | |---|---|---| | FDS4935 | Fairchild / ON Semi | Базовый парт-номер | | FDS4935BZ | Fairchild / onsemi | Обновлённая версия (улучш. RDS(on)) | | FDS4935BZ-NL | onsemi | Верификация "NL" (Non-Lead, требования RoHS) | | FDS4935BZ_NL | onsemi | Вариант написания | | FDS4935-NL | Fairchild | RoHS-версия | | FDS4935_NS | Fairchild | Вариант упаковки | | FDS4935A | Fairchild | Аналог |

Маркировка на корпусе: надпись FDS4935 + код партии (date code).

⚠️ Важно: для точного заказа проверяйте актуальный статус (Active / NRND / Obsolete) у onsemi — часть версий могла быть снята с производства. Замена/кросс — уточняйте через cross-reference у дистрибьюторов (Mouser, Digi-Key, Arrow, Chipdip и др.).

Совместимые / аналогичные модели (P-Channel Dual MOSFET, SO-8)

Прямых «pin-to-pin» совместимых по схемотехнике P-канальных дуальных MOSFET (SO-8) много, но параметрически близки следующие:

| Модель | Производитель | Примечание | |---|---|---| | FDS4935BZ | onsemi | Обновлённая версия, часто прямая замена | | AO4803 | Alpha & Omega | Dual P-MOSFET, SO-8, близкие параметры | | AO4801 | Alpha & Omega | Dual P-MOSFET | | IRF7306 | Infineon | Dual P-MOSFET, SO-8 | | Si4936DY | Vishay Siliconix | Dual P-MOSFET | | NTMD4840N (N+P) | onsemi | Не полный аналог, но в семейство | | FDS9953A | Fairchild | P-Channel, но одиночный | | DMP3036SFG | Diodes Inc. | Dual P-MOSFET, аналогичные габариты | | RF1K49155 | — | Dual P |

Полностью «документ-к-документу» замену нужно подбирать по ключевым параметрам:

• VDS ≥ -30 В
• VGS(th) — согласованность с логическими уровнями
• RDS(on) при рабочем VGS не выше 25–30 мОм
• Qg и Ciss — для динамических схем
• цоколёвка SO-8 идентичная

Если нужно, могу составить таблицу пиновой распиновки SO-8 для FDS4935 или помочь подобрать конкретную замену под ваши параметры (рабочее напряжение, ток, частота ШИМ).