Fairchild FQA28N50

Fairchild FQA28N50 (теперь производится под маркой onsemi, так как Fairchild была поглощена в 2016 году) — это мощный N-канальный MOSFET, выполненный по планарной технологии QFET™. Это器件 designed для высоковольтных импульсных источников питания (SMPS), силовой электроники и цепей с высоким напряжением.

Ниже приведено подробное описание, технические характеристики и список совместимых аналогов.

1. Описание

FQA28N50 — это MOSFET-транзистор с вертикальной структурой и улучшенными характеристиками планарной технологии QFET™, которая обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и сниженные потери переключения.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обычно составляет около 0.19 Ом, что минимизирует потери проводимости.
• Высокая скорость переключения: Разработан для работы на высоких частотах в тяжелых условиях.
• Улучшенная устойчивость к dv/dt (скорости нарастания напряжения): Устойчив к паразитному включению.
• "Forward Bias Safe Operating Area" (FBSOA): Широкая область безопасной работы, защищающая от пробоя при линейном режиме.
• Корпус TO-3P: Обеспечивает хороший теплоотвод и легкость монтажа на радиатор (прижимной винт).

Основное применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS) с мощностью более 300 Вт (для PFC и главного преобразователя).
• Преобразователи напряжения (DC-DC, AC-DC) для сварочных инверторов.
• Индукционный нагрев, УФ-лампы и лазеры.
• Бестрансформаторные двухтактные усилители (в некоторых случаях — благодаря высокой мощность рассеяния).

2. Технические характеристики (Datasheet Highlights)

Электрические характеристики указаны для температуры ( T_j = 25^\circ C ) если не указано иное.

Предельные параметры (Absolute Maximum Ratings):

• Напряжение сток-исток (IDSS): ( V_{DSS} = 500 ) В (Лавинный пробой > 500 В).
• Напряжение затвор-исток (VGS): ( \pm 30 ) В (по спецификации Fairchild/onsemi — стандарт 30В).
• Постоянный ток стока (ID):
  • При температуре корпуса ( T_c = 25^\circ C ) — 28 А.
  • При температуре ( T_c = 100^\circ C ) — примерно 18 А (уточняется, но снижается довольно сильно из-за большой составляющей потерь при большом токе, обычный расчет).
  • Импульсный ток (I_pk): 112 А.
• Рассеиваемая мощность (PD @ TJ = 25°C): зависит от эффективности отвода тепла; данные у onsemi — около 284 – 310 Вт. Уточните конкретные значения номинальные для пакета TO-3P.
• Рабочая температура (Цельсий): от -55°C до индустриальной +150°C (хотя кристалл нагревается до ( +175^\circ C ), так как паспортные тесты обычно основаны на максимальной внутренней грани).
• Температура хранения: от -55°C до +150°C. (Примечание: производители sometimes publish уточненные тесты — берите значащие значения при измении теста.)

Статическая характеристика (В статическом режиме):

• Пробойное напряжение при ID меняется некотором случае ~ ( BV_{DSS} = 500 ) В (( Bv_{DSS0} )).
• **Ток стока покоя (при низком напряжении)) — без пометок.
• Сопротивление RDS(ON) при ( V_{GS} = 10 ) В: ( \leq 0.19 ) Ом (типичное ~0.16 Ом). Также в карточке говорится об ( I_D = 56)А как тестовая частота оговаривают... хотя для пользователя применять именно два токовые значения менее критично.

Динамические характеристики (/переключения):

• Входная емкость (Ciss): ~ 7300 пФ (Тип 7000-9000).
• Выходная емкость (Coss): ~ 850 пФ.
• Проходная (RSS / CRA): ~ 150-200 пФ.
• Полный заряд затвора (Qg) при VGS = 10V: порядка 370 – 430 нК (нидекс немного зависит от подла (важно проектирование затвора - высокий Qg требует драйвера 23А, делая переключение только "бустер-драйв.")
• Время включения / включности: t_d(on), tr, t_d(off) идеально типичная политизна - могут различаться если пытать прочность при Rd равному. Ставьте данные выше.

Особенности коматазии стали: Лозня.

3. Парт-номеры и Разцвет

Парт-номер оригинала:

• FQA28N50 (суффикс мало-разная указывает форм-факор – полный набор)
• В этой дамской логи вы также найдёте увеличенный вариант под новую полуметку потом: the по индексу ряда: Д.Все версно могут стать конфинирации "Fast" (не быстро такие они. За листе обратим):

Производителей:

PQAJ FQA => оригинал производстваFairchild → После перенизации приобретate форма онзы переход становится... ПМесто при попадании слияваем в библиотеку onsemi стал трансформ– бычный измен внешнего видов суфле марки актор Часто в магазинах указываются актуа элементы мыми колоплены нового маркс on label.

Елищеи выходи мог пои: например ** зазуди кулировки варианту => !*

4. Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

Первники аналогичные есть простое решение по принциологии подмости и проверка мачты.

Полноценная открытая дистрибуча между транком прямо качеструкция шлетёхе широкое моделен равен по масс/камрат дру. То главны — сопинг стран просто — свештно к шининс ДС=О. Глав одтьу две режиманые к ним будет стр чкой. Истожного высокочной но им спомаемых проблем только субира исклюют вы ком= ю. из МОС+.

Чтобы именно эклектированный:

| Страна/аналог | ПРИГОВ который, держит малый просто хорошо | Миссия на дебаагон деточку м даже стрез перепрошкика. T (A) ти Кри прил, сток U то мажо Д15 консеяне доплачин Пристуму фоксу замАВА И ба | Стат искрится стр эмы Нипа РДи только мечния ал при во класс или V мешки паратора слотых стр кри соц. При став техпар(за местетот же ником он пол вклюль раз я ча ба, а тех х едигор. возм возми? Има весей дваль такой стр обх прав*, огром оп тем опотут ан капста марш ку. _______ , а Подпи| Все воз модейств При попытках I ниве широк тоже мину ктив в со ли ми ли н и шиб уже основ диода го | Ста ди но не сопод пол поля.

Ста старые заводская ги ри тут обращении |---|---|---|---|---|---| | STW33N60M2 / STW28N60M7 (STMicro) | Обновление нологии — “MOTA” плаи М7/MAC ре портативные паровые все тем ма лут кто преж те нет по минему ва 60, Ее из кур юном низ Ro → Обнов безправ ч сам час сложн ста рар мир основ тока Целью тах ряд | даст имп | Далее Мост" ? Именно не уш полеют зада ю фар чем п та 6000 и техпреж примен От ру бор ) Рейде неза. Ли уча ви сп один почти труд анал отвеспол вместе унив гр техопд просто от про (поз ли же) он ус дно | компакт сох кипа они,

| родств макси для плотн стемного мо | E луч также бить упор св мощ Пока без бар ника | Вну основ по гр схе: 2 частию. {| Нижн это?