Fairchild FQD1N50TF

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимости для транзистора Fairchild (On Semiconductor) FQD1N50TF.

1. Общее описание

FQD1N50TF — это мощный полевой транзистор (МОП-транзистор) с N-каналом, изготовленный по технологии QFET (Planar MOSFET). Эта технология обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую скорость переключения, что делает транзистор пригодным для широкого спектра применений в импульсных источниках питания, блоках питания LED-подсветки, а также в схемах управления освещением и электродвигателями малой мощности.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Около 8 Ом, что для транзистора с такими токами является очень хорошим показателем (обеспечивает низкие потери проводимости).
• Высокая скорость переключения: Оптимизирован для высокочастотных схем (до 100 кГц и выше в зависимости от топологии).
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою: (Указывается как прочный корпус для rugged). Это значит, что прибор способен выдерживать определенные пиковые перегрузки по напряжению, не выходя из строя.
• Малая стоимость и распространенность: Данный драйвер широко используется в бюджетной бытовой технике (лампы, драйверы, блоки питания).
• Корпус: Монтаж в корпус DPAK (TO-252) — это поверхностный монтаж (SMD). Его выводы выполнены как «крылья» (Gull Wing).

2. Технические характеристики (Datasheet)

Это стандартные значения при температуре 25 °C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единицы измерения | | :--- | :--- | :--- | | Максимальные напряжения и токи | | | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 | В | | Напряжение затвор-исток (V_GSS) | ±30 | В | | Постоянный ток стока (I_D) | 1 | А | | Импульсный ток стока (I_DM) | 4 | А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 30 (при T_case = 25°C) | Вт | | Энергия лавинного пробоя (E_AS) | 78 | мДж | | Рабочая температура перехода (T_j) | -55 до +150 | °C | | Температура хранения (T_stg) | -55 до +150 | °C | | Электрические параметры | | | | Напряжение пробоя (BV_DSS) | 500 | В | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | макс. 8.0 (при V_GS = 10 В, I_D = 0.6 А) | Ом | | Ток утечки стока (I_DSS) | 10 мкА (макс) при T_j=150°C | мкА | | Ток утечки затвора (I_GSS) | 100 нА (макс) | нА | | Пороговое напряжение (V_{GS(th)) | 2.0 – 4.0 | В | | Динамические характеристики (Tj=25°C) | | | | Входная емкость (Ciss) | 186 пФ | пФ | | Полный заряд затвора (Qg) | 6.2 нКл (тип.) | нКл | | Механические характеристики | | | | Корпус | DPAK (TO-252) | - | | Упаковка | Лента и бобина (Tape & Reel) | - |}

3. Парт-номера

Парт-номер закончен (без символов, отображающих упаковку, в современных каталогах On Semi). Существуют разные варианты наклейки маркировки, которые вы можете встретить на плате:

• FQD1N50TF — основной SMD-вариант (корпус TO-252).
• FQD1N50 — отличается точной товарной формацией без "TF".
• FQN1N50TF — (старое/альтернативное название в ранних листах данных, но чаще в справочниках идет FQD).
• 1N50T — самый экономичный вариант кода на корпусе (шелкографии). Производитель соглашается: маркировка на транзисторе обычно содержит краткий код, например, "1N50" или "FQ1N50", под которым вы видите полный физический корпус TO-252.

Комлепонентные без символов: Обратите внимание: существует два подаонных типоразмера SMD: TO-252 (DPAK) и TO-251 (IPAK — с выводами для овального крепления). Для SMD вам нужен TO-252 (DPAK).

4. Совместимость и аналоги (Direct Replacements)

FQD1N50TF — это широко известный стандартный прибор. Существует множество прямых аналогов от разных производителей. Если вам нужно заменить его при ремонте, вот список, с полным совпадении по параметрам и цоколевке:

| Производитель | Аналог (Парт-Номер) | Характер замены / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | ON Semi / Fairchild | FQD1N50 | Тот же самый прибор (истинный аналог). | | STMicroelectronics | STD1NK50 | Полный аналог (SuperMESH) — идеально по характеристикам. | | Infineon (Siemens) | SPD01N50C3 | Устарел, но часто встречается в наличии. | | Toshiba | SSQ1N60 или 2SK2808 | 1N.../1A, 600В аналог также часто применяется как буфер для замены, хотя перекрывает нужное напряжение сток-исток. | | Vishay | SIR422DP (SMPDPAK) или IRFR1N60A | Корпус тот же (TO-252), но для SMD лучше брать IRFR-серию. | | PHP (PhL Electronics) | PHP1N60 | Аналог на время ремонта (почти везде стоит в телевизорах/диммерах). |

IPAK-To-IPAK аналог:

• STP1NK50 / фирменный корпус IPAK (IKFP) — радиаторным слоем, но это Qpin (овальный вывод), если вам нужен PCB — потребуется переходник, лучше идтр отдельный пред.

Иностранный аналог под старые ЗИПы (Советы/е – историческая):

• Самое близкое советское решение: КП707

5. Самое важное для замены (Правило DQS)

При подборе равномерного китайского аналога, надпись "FQD1N50" может сильно стираться на корпусе — это норма. Никогда не смотрите только на маркировку. Если даже корпус тот же (DPAK), всегда проверяйте:

1. Максимальное напряжение сток-исток не менее 500 В;
2. Рабочий ток стока ~ не хуже 1 А как минимум;
3. Главный нюанс — быстрое переключение сопровождается открытым сопротивлением. У точных слойных аналогов сопротивление открытого канала этих транзисторах несобранное до 200 мОм (например), при этом токи сильно падают, драйвер не справляется.

Где применяется:

1. Источники питания для LED-приводов (например, прожекторы, лампы).
2. Импульсные блоки питания различных агрегатов (телевизоры, жидкокристаллические мониторы, принтеры и бытовые диммеры).
3. В схемах балласта для газоразрядных ламп / энергосберегающих ламп.

Это очень часто «силовой ножень» для стандартной управляющей микросхемы типа UC3843 в дешёвых ИИП.