Fairchild FQD2N60C

Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и список совместимых/аналогов для транзистора Fairchild FQD2N60C (ныне бренд ON Semiconductor).

Краткое описание

FQD2N60C — это мощный полевой транзистор (MOSFET) N-канального типа, выполненный по технологии Planar (или STripFET для аналогов). Он designed для высоковольтных импульсных источников питания (SMPS), AC/DC преобразователей, блоков питания LED-драйверов и энергосберегающих схем.

Ключевые преимущества:

• Быстрое переключение.
• Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on) = 3.5 Ом).
• Встроенный защитный диод (быстрый recovery).
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою.

Применяется в схемах с напряжением до 600 В, где важен низкий уровень шумов (за счет Planar-структуры, а не Super Junction, которая дает резкие фронты). Выпускается в корпусе D-PAK (TO-252).

Технические характеристики (Datasheet)

Предельные параметры (Ta = 25°C):

• Тип канала: N-канал, Усиление: — (управление напряжением).
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600 В.
• Напряжение затвор-исток (Vgs): ±30 В.
• Ток стока (Id):
  • Непрерывный: 2.0 A (DC).
  • Импульсный (t = 10 мкс): до 8.0 A (peak).
• Мощность рассеивания: 50 Вт (при Tc=25°C).
• Рабочая температура: −55°C…+150°C.

Рабочие параметры (при VGS = 10 В, ID = 1.0A):

• Сопротивление RDS(on): типичное 2.45 Ом, максимальное 3.5 Ом.
• Qgs (заряд затвора): ~15 нКл.
• Porte QGD (затвор-сток): ~5 нКл.
• Ти высокого уровня UVLO: Обычно нет (стандартный Mosfet).
• Технология: Planar (обеспечивает мягкое выключение и меньшее dB/dT).

Динамические характеристики:

• turn-on time (время включения): типично 25 нс.
• turn-off time (время выключения): типично 65 нс.
• df/dt: не выше ≈50 V/нс (определяется внешней цепью снаббера).

Парт-номера (оригинал Fairchild/ON Semi)

Основная кодировка для заказа на логистику:

| Символ (Marking / Part Number) | Полный артикул | Тип корпуса | | ----------------------------- | ------------------------ | --------------------- | | FQD2N60C | FQD2N60CTM | D-PAK (TO-252), 2500/реель | | FQD2N60C_WS * | FQD2N60C (WS)* | То же, bulk | | FQD2N60C_JL * | FQD2N60C_JL | То же (Marking с малым JL) |

Примечание: WS (или иногда пустой) указан на сборках, произведенных на разных линиях (Филиппины/Китай). Для замены полный номер FQD2N60CTM (или обычный).

Часто в ленте продаются как:
"FQD2N60C г."(суффикс для ON S. — встречаются без суффикса).

Совместимые аналоги (Alphanumeric / Alternatives)

На рынке предлагается прямая замена в совместимых партномерах:

Прямые взаимозаменяемые (pin-to-pin, корпус TO-252 или DPAK):

1. IRFR210 (International Rectifier) – 600V/1.7A (ток точнее немного ниже, но часто взаимозаменяем).
2. IRFR220 (600V/2.5A/2.8 Ohms) – прямой аналог, близкий по току.
3. IRFIB (Iзнает обозначение 6N с большими диодами; для DPAK часто пишут IRF).
4. STD2NK60ZT4 (STMicro / CDXXX) – Planar/STripFET II.
5. HIV-3 – оригинальные ON Semi 2N60 (Это такой же типо- наборный: NV. В старых спецификациях говорят про точный совпадение с STP2NK60ZT4).
6. BSS127 *** Ошибки нет ?*— нет, это SOT-23.
7. MPSA04 – не подходит.
8. IRF540 – Вольтаж 100V (не подходит).
9. STP07N60 – более мощный.
10. FQPF10N60C / FRN - отличаются по корпусу/изоляции.

Лучшие кроссы:

• STP2NK60ZT4 (ST)
• IRFR210 / IRFRS220 (Infineon)
• Wong RDS200 (FQD2NB)**онных.
• FJ9N60TU (FOCUS)

Если нужно найти в цискоточном совмещении — смотрите диапазон: сток 600V, ток 2.5А, RDS(on) до 4 Ω, и корпус D-PAK/TO-252.

▲ Строгая подчистка эмиттера/фазы – биполяр BCP вы не см. → P-В: Вам по сути **-NP - MOSFET ONLY.

Если подыскиваете дешёвый ремонт FQD2N60C – рекомендую FQD3N60C с запасом (4.5A/600V) или IRFR230 (STM ток ~3.5А). Главное стараться чтобы RDS(on) аналога ≤ оригинальному (или чуть выше, с учетом снижения температуры до сответя).