Fairchild FQP30N06 — Мощный N-канальный MOSFET

Описание

FQP30N06 — это мощный N-канальный MOSFET (полевой транзистор) с изолированным затвором, производимый компанией Fairchild Semiconductor (ныне часть ON Semiconductor / onsemi). Транзистор выполнен по технологии DMOS и предназначен для работы в импульсных источниках питания, схемах управления двигателями, преобразователях постоянного тока и других силовых приложениях с коммутацией нагрузок.

Корпус TO-220AB обеспечивает хороший отвод тепла и удобство монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET (обогащённый) | | Корпус | TO-220AB (TO-220-3) | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 60 В | | Ток стока непрерывный (I_D) при T_C=25°C | 32 А | | Ток стока импульсный (I_DM) | 128 А | | Сопротивление открытого канала R_DS(on) | 0.047 Ом (тип.) при V_GS=10В, I_D=16А | | Пороговое напряжение затвора V_GS(th) | 2.0 – 4.0 В | | Макс. напряжение затвор-исток V_GS | ±25 В | | Крутизна прямой передачи g_fs | 25 См (тип.) | | Общий заряд затвора Q_g | 28 нК (тип.) при V_GS=10В | | Время включения t_on | 70 нс (тип.) | | Время выключения t_off | 50 нс (тип.) | | Рассеиваемая мощность P_D при T_C=25°C | 85 Вт | | Рабочая температура кристалла T_J | до +175°C | | Тепловое сопротивление R_θJC | 1.76 °C/Вт |

Характеристики R_DS(on) подробнее:

• при V_GS = 10 В, I_D = 16 А → 0.047 Ом (max 0.052 Ом)
• Порог: логический уровень управления не поддерживается (не Logic Level), требуется V_GS ≈ 10 В.

Парт-номера и варианты

Основные артикулы (маркировки/заказы):

| Парт-номер | Описание | |---|---| | FQP30N06 | Базовый вариант, TO-220AB (Fairchild) | | FQP30N06L | Логический уровень (Logic Level), V_GS(th) ниже, R_DS(on) при 5В | | FQPF30N06 | Вариант в корпусе TO-220F (полностью изолированный) | | FQPF30N06L | TO-220F + Logic Level | | FQI30N06 | Аналог от Fairchild в TO-262 (I²PAK) (семейство QFET) |

В каталогах onsemi/Fairchild встречаются также:

• FQP30N06 (артикул вида: FQP30N06-ND у дистрибьюторов, напр. Digi-Key)
• Упаковка: обычно трубка (rail) / tube, 50 шт./туба

Полный современный orderable-номер от onsemi для аналога — выбирается из категории "QFET 60V N-Channel MOSFETs".

Совместимые и аналогичные модели (замены)

Прямые или функциональные аналоги с близкими параметрами (60В, N-channel, TO-220, R_DS(on) ~0.04–0.05 Ом):

• IRFZ44N (Vishay/IR) / IRFZ44 — 55В, 49А (очень близкая замена)
• IRF1010N — 55В, 84А
• STP55NF06 (STMicroelectronics) — 60В, 50А
• STP60NF06
• FQP50N06 — старший брат в линейке Fairchild
• FQA30N06 (Fairchild, аналогичная серия QFET)
• HUF75645 — 60В N-ch MOSFET
• IRLZ44N — Logic Level версия, схема похожая
• SUP75N06
• 2SK系列 аналоги (напр., 2SK1058 — но с оговорками)
• NTE2387 / ECG2387 — замены из общего каталога NTE
• MTP3055E рассматривается редко, слишком слаб.

Ключевые совместимые по назначению:

• Управление моторами
• Импульсные преобразователи до ~60В
• Ключи в ШИМ-схемах
• Понижающие/повышающие DC-DC
• Защита от переполюсовки (ограничена)
• Ключи в UPS и инверторах малой и средней мощности

Рекомендации при замене

1. Проверьте напряжение сток-исток ≥ 60В в схеме.
2. Учтите, что FQP30N06 не Logic-Level — при 5В управления он не гарантирует полного открытия. Используйте FQP30N06L или IRLZ44N для чистой работы на 5В логике.
3. Проверьте посадочное место: TO-220 и TO-220F взаимно механически не идентичны (TO-220F — изолированный фланец).
4. При работе с большими токами важен тепловой расчёт: 85Вт при 25°C — обязательный радиатор.

Если нужно — могу подготовить сравнительную таблицу FQP30N06 vs IRFZ44N/STP55NF06 или расчёт радиатора под конкретный ток.