Fairchild MJD112

Fairchild MJD112 — мощный составной транзистор Дарлингтона

Общее описание

MJD112 — это кремниевый NPN составной транзистор (пара Дарлингтона) в корпусе DPAK (TO-252) для поверхностного монтажа. Отличается сверхвысоким коэффициентом усиления по току (hFE ≥ 1000) и встроенным защитным диодом (free-wheeling diode) между коллектором и эмиттером.

Разработан специально для использования в качестве:

• переключателей нагрузки,
• драйверов реле, соленоидов и электромагнитных клапанов,
• выходных каскадов коммутации в бытовой технике и автомобильной электронике.

Благодаря полностью изолированному корпусу не требует применения слюдяных прокладок при монтаже на радиатор.

Основные технические характеристики (при T=25°C)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | |----------|-------------|-----------|---------| | Напряжение коллектор-эмиттер | (V_{CEO}) | 100 | В | | Напряжение коллектор-база | (V_{CBO}) | 100 | В | | Напряжение эмиттер-база | (V_{EBO}) | 5 | В | | Ток коллектора постоянный | (I_C) | 2 | А | | Ток коллектора импульсный | (I_{CM}) | 8 | А | | Ток базы постоянный | (I_B) | 100 | мА | | Рассеиваемая мощность при T_case=25°C | (P_D) | 20 | Вт | | Температура перехода (макс.) | (T_j) | 150 | °C | | Коэффициент усиления тока (hFE) при (I_C=2A), (V_{CE}=3V) | min / typ | 1000 / 2000 | — | | Напряжение насыщения (V_{CE(sat)}) при (I_C=2A), (I_B=8mA) | max | 2.0 | В | | (V_{CE(sat)}) при (I_C=5A), (I_B=20mA) | max | 3.0 | В | | Время включения (опции) | (t_{on}) | 1600 (typ) | нс | | Время выключения (опции) | (t_{off}) | 3000 (typ) | нс |

Полные характеристики (Data Sheet ключевые данные)

• Тип структуры: NPN Darlington с составным эмиттерным повторителем.
• Защитный диод: Встроен (анод на эмиттер, катод на коллектор) — идеален для индуктивных нагрузок (реле, двигатели).
• Корпус: DPAK (TO-252, соответствует JEDEC). Подложка — медная, луженая.
• Вес корпуса: примерно 0.3 грамма.
• Диапазон рабочих температур: -65°C … +150°C.
• Тепловое сопротивление кристалл-корпус: 6.7 °C/Вт (typ)
• Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда: 62.5 °C/Вт (typ)

Парт-номера (варианты заказа Fairchild/ON Semiconductor)

Product が on Semiconductor перешла тех же маркировок:

| Полное обозначение | Описание | |--------------------|-----------| | MJD112 | Базовый SKU, упаковка: Трубка (Tube / 75 шт) | | MJD112T4 | Основной массовый SKU, упаковка: Лента и Барабан (Tape & Reel, 2500 шт) | | MJD112G | Буква «G» — «Pb-free» (без свинца), версия, трубка. | | MJD112T4G | Самая распространенная версия «свинец-бесплатная», лента/катушка, 2500 шт. | | MJD112_R2 | Упаковка на ленте (конвейерная), обычно встречается в поставках ON Semi. |

Совместимые модели и аналоги (замена)

Прямые аналоги (P2P, одинаковые характеристики): | Производитель | Обозначение | |---------------|-------------| | ON Semiconductor / Fairchild | MJD112 | | STMicroelectronics | MJD112 (выпускается под тем же корпусом) | | NXP / Philips | PHD 112 (раньше, снят с производства) | | Renesas (объединили с Hitachi) | 2SD2005 (очень близкий аналог, но возможна отстройка по корпусу) |

• Обратите внимание: многие клоновые производители (там же Chinese "Jinan Jingheng") просто копируют маркировкуMJ D 1 12 " на корпусе.

Важные конструктивные аналоги МОЩЬ В НАПРЯЖЕНИЕ

Если рассматривается замена и с характеристиками на бóльший ток:

• TIP112 (TO-220)
• TIP102 (TO-220, 100В, 5А)
• IRS3452 — это уже IGBT, но если требуется быстрый внешний ключ.

Для поверхностного монтажа с тем же направлением заливки, проверить:

• ULT112 (устаревшие Infineon SIPMOS — это DMOS, родственн.) Ни в коем случае не заменять без сверки схемы ШИМ, так как каскад Дарлингтона имеет задержку по времени проводимость в сравнении с полевыми транзисторами.

Артикулы в европейских шкафах напрямую:

• "MJD112T4G" — это уникум, используемый в блоках управления стиральными машинами (например, Samsung Direct Drive) и стеклоподъемников (Peugeot, Dacia).

Если вам нужно прямо сейчас — по интернет-коридору, всем токмастав ждёте — разборка во послок не нужна, просто характеристики идентичны параметрам структуры MJD112.