IGBT StarPower GD200HFL120C8S

Описание IGBT модуля StarPower GD200HFL120C8S

IGBT-модуль StarPower GD200HFL120C8S — это высоковольтный силовой транзистор с интегрированным обратным диодом, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), обеспечивающей высокую надежность и устойчивость к перегрузкам.

Корпус GD200HFL120C8S стандарта FL120 обеспечивает хорошие теплоотводящие свойства и механическую прочность. Модуль подходит для работы в жестких промышленных условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-------------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + Diode (2 в 1) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 400 А |
| Мощность (P_tot) | до 1000 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 300 нс (тип.) |
| Темп. хранения/работы | -40°C ... +150°C |
| Термосопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | FL120 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3, FF200R12KT3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF, CM200DY-24NF (при замене на 1200В версию)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Рекомендуемые замены в линейке StarPower:

• GD200HFL120C8S (базовая модель)
• GD200HFL120C8SA (улучшенная версия)
• GD200HFL120C8SB (с оптимизированными динамическими параметрами)

Совместимые серии в других корпусах:

• FL100: GD200HFL100C8S (меньший размер, но хуже теплоотвод)
• FL150: GD200HFL150C8S (улучшенное охлаждение)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!