5STP26N5800

Описание и технические характеристики MOSFET 5STP26N5800

5STP26N5800 – это N-канальный силовой MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 5800 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 5 A |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 26 Ом |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения и работы | -55°C до +150°C |

Ключевые особенности:

✔ Высокое напряжение сток-исток (5800 В)
✔ Низкое сопротивление в открытом состоянии
✔ Быстрое переключение
✔ Устойчивость к высоким импульсным нагрузкам

Парт номера и совместимые модели:

Производитель STMicroelectronics может иметь альтернативные обозначения или аналогичные модели:

• STP26N5800 (аналогичная версия от STMicroelectronics)
• IXFH5N5800 (аналог от IXYS)
• APT5K5800 (аналог от Microsemi)

Применение:

• Высоковольтные импульсные источники питания
• Инверторы и преобразователи
• Медицинское оборудование
• Промышленная электроника

Если вам нужны более точные аналоги или спецификации для конкретного производителя, уточните бренд и условия эксплуатации.