TBX55750E1100T200 S

Описание и технические характеристики TBX55750E1100T200 S

Описание:
TBX55750E1100T200 S – это высокоэффективный силовой транзистор (IGBT-модуль), предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую надежность, низкие потери и стабильную работу в жестких условиях эксплуатации.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT-модуль (с диодом обратной связи) | | Максимальное напряжение (V_CES) | 1100 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А | | Пиковый ток (I_CP) | до 400 А (кратковременно) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при номинальном токе) | | Время включения/выключения | нс (уточняется в даташите) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,12 °C/Вт | | Корпус | Стандартный модульный (SEMiX, EconoPACK и др.) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R12KT4, FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-110
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые модели в технике:

• Сварочные аппараты: Kemppi, ESAB (серии с IGBT на 1100 В)
• Частотные преобразователи: Danfoss VLT, ABB ACS550
• Промышленные инверторы: Siemens SINAMICS (совместимые версии)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Для точных параметров рекомендуется уточнять данные в официальном даташите производителя (Infineon, Mitsubishi и др.).