IGBT-модуль GD40PIT120C5S

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, Insulated-gate bipolar transistor, IGBT)

IGBT-модуль GD40PIT120C5S — это силовой полупроводниковый модуль, который используется в различных электронных устройствах для управления высокими напряжениями и токами. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это биполярный транзистор с изолированным затвором, который сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярных транзисторов (низкие потери мощности при высоких напряжениях и токах).

Основные характеристики модуля GD40PIT120C5S:

1. Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
   Это максимальное напряжение, которое модуль может выдерживать между коллектором и эмиттером.

2. Ток коллектора (I_C): 40 А
   Это максимальный ток, который модуль может пропускать через себя в непрерывном режиме.

3. Ток коллектора (импульсный): 80 А
   Это максимальный ток, который модуль может выдерживать в импульсном режиме.

4. Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
   Это максимальная мощность, которую модуль может рассеивать без перегрева.

5. Тип корпуса: Модуль выполнен в стандартном корпусе, который обеспечивает удобство монтажа и теплоотвод.

6. Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
   Это диапазон температур, в котором модуль может работать.

7. Встроенный диод: Модуль может иметь встроенный обратный диод, который используется для защиты и улучшения характеристик в схемах с индуктивной нагрузкой.

Применение:

IGBT-модули GD40PIT120C5S широко используются в:

• Преобразователях частоты (инверторах).

• Системах управления электродвигателями.

• Источниках бесперебойного питания (ИБП).

• Сварочных аппаратах.

• Системах возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы).

Особенности:

• Высокая надежность и долговечность.

• Низкие потери при переключении.

• Хорошая тепловая стабильность.

Подключение и использование:

При использовании IGBT-модуля важно обеспечить:

• Правильное охлаждение (радиаторы, вентиляторы).

• Защиту от перенапряжений (снабберные цепи).

• Корректное управление затвором (драйверы IGBT).