IGBT 10NAB063T10

Описание IGBT модуля 10NAB063T10

10NAB063T10 – это IGBT-модуль производства Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых приложений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции
• Системы управления двигателями

Модуль использует технологию TrenchStop™, обеспечивающую низкие потери проводимости и переключения, а также высокую надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип модуля | IGBT (NPT/Trench) + диод |
| Макс. напряжение (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 10 А |
| Ток импульса (I_CP) | 20 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.7 В (тип.) |
| Потери на переключение (E_on / E_off) | 30 µJ / 15 µJ |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 2.5 К/Вт |
| Корпус | DIP (Dual In-line Package) |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги Infineon:

• 10NAB063T10-ND (версия для дистрибьюторов)
• 10NAB063T10XKSA1 (альтернативная маркировка)

Совместимые / похожие модели других производителей:

• STGW30NC60WD (STMicroelectronics) – 600V, 30A
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semi) – 600V, 15A
• IRG4BC30UD (Infineon) – 600V, 23A

Модули с аналогичными характеристиками:

• FF10R12YT3 (Infineon) – 1200V, 10A
• CM10DY-12H (Mitsubishi) – 1200V, 10A

Применение и замена

Модуль 10NAB063T10 можно заменить на аналоги с близкими параметрами по току и напряжению, но важно учитывать:

• Распиновку корпуса (DIP-модули могут отличаться)
• Тип технологии (TrenchStop, NPT, Fieldstop)
• Наличие встроенного диода

Если требуется замена, рекомендуется проверять документацию на конкретное устройство.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!