IGBT 1mbi300n120

Описание и технические характеристики IGBT 1MBI300N-120

Описание:
IGBT-модуль 1MBI300N-120 производства Fuji Electric — это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Производитель | Fuji Electric | | Тип модуля | IGBT (NPT, Trench Gate) | | Конфигурация | Одиночный (Single) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Номинальный ток IC (25°C) | 300 А | | Макс. ток IC (пиковый) | 600 А | | Рассеиваемая мощность | 1000 Вт (при 25°C) | | Напряжение насыщения VCE(sat) | 2.5 В (при IC=300A) | | Время включения (ton) | 90 нс | | Время выключения (toff) | 400 нс | | Диапазон температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | 6-контактный модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от других производителей:

• Infineon: FF300R12KE3
• Mitsubishi Electric: CM300DY-12NF
• SEMIKRON: SKM300GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG (дискретный IGBT, не модуль)

Прямые аналоги Fuji Electric:

• 1MBI300U4-120 (улучшенная версия)
• 2MBI300N-120 (двойной модуль)

Примечания:

• Модуль требует эффективного охлаждения (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется проверять распиновку перед заменой на аналог.

Если нужна дополнительная информация по подключению или применению, уточните запрос!