IGBT 21NAB12T11

Описание IGBT модуля 21NAB12T11

IGBT 21NAB12T11 – это двухканальный (Dual) IGBT-модуль с обратным диодом, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, частотных приводов и других силовых электронных устройств. Модуль обладает высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и хорошей тепловой стабильностью.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: Dual IGBT (2 в 1) с обратными диодами
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 21 А (при 25°C)
• Ток короткого замыкания (I_SC): 42 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 290 нс
• Температура эксплуатации: от -40°C до +150°C

Параметры встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 21 А
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Тепловые характеристики:

• Термосопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,45 °C/Вт
• Корпус: модульный, изолированный

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• 21NAB12T1 (более старая версия)
• FGA21N120ANTD (Fairchild)
• IRG4BC30UD (International Rectifier)
• STGB21NC120HD (STMicroelectronics)

Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки):

• CM100DY-12NF (Mitsubishi)
• SKM100GB12T4 (Semikron)

Применение

Модуль 21NAB12T11 используется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Инверторах и UPS
• Системах управления электродвигателями
• Сварочных инверторах

Если вам нужна дополнительная информация, уточните параметры замены или условия эксплуатации.