IGBT 2MBI100L-120

Описание IGBT модуля 2MBI100L-120

Модель: 2MBI100L-120
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточнено)
Тип: IGBT-модуль (NPT IGBT с диодом обратного хода)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, системы управления двигателями, импульсные источники питания и другие силовые электронные устройства.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: ~60-80 А (уточнить по даташиту)
• Макс. импульсный ток (I_CP): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~300-400 Вт (зависит от условий охлаждения)

Параметры IGBT:

• Падение напряжения (V_CE(sat)): ~2.0-2.5 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~100 нс
• Время выключения (t_off): ~300 нс

Параметры диода:

• Макс. обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямое падение напряжения (V_F): ~1.8 В

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25-0.35 °C/Вт

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое крепление на радиатор
• Вес: ~100-150 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi Electric:
  • 2MBI100N-120
  • 2MBI100U4A-120
• Infineon:
  • FF100R12KT3
  • FF100R12KE3
• Fuji Electric:
  • 2MBI100-120
  • 2MBI100C-120
• SEMIKRON:
  • SKM100GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• Напряжение 1200 В, ток 75-120 А:
  • CM100DY-12H (Powerex)
  • MG100Q1US41 (Toshiba)

Примечание:

Точные параметры могут отличаться в зависимости от производителя и ревизии модуля. Рекомендуется проверять даташит (datasheet) конкретной модели перед заменой.

Если нужны дополнительные параметры или уточнения — укажите, и я дополню описание!