IGBT 2MBI150L-060

Описание IGBT-модуля 2MBI150L-060

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (DUAL)
Назначение: Высоковольтные и среднечастотные преобразователи, инверторы, источники питания, управление электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 150 А
• Импульсный ток коллектора (I_CP): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 400 Вт
• Класс изоляции: 2500 В (мин.)
• Температурный диапазон: от -40°C до +150°C (корпус)

Параметры IGBT:

• Пороговое напряжение (V_GE(th)): 5,5 В
• Время включения (t_on): 0,18 мкс
• Время выключения (t_off): 0,5 мкс

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1,7 В
• Время восстановления (t_rr): 0,3 мкс

Механические характеристики:

• Корпус: 2-in-1 модуль (Half-bridge)
• Монтаж: винтовое крепление (термопаста обязательна)
• Вес: ~150 г

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI150U2A-060 (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)
• 2MBI150N-060 (близкий по параметрам, но другой корпус)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R06KE3
• Fuji Electric: 2MBI150VXB-060
• SEMIKRON: SKM150GB066D

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление двигателями (например, в станках, лифтах)
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой на аналог проверяйте распиновку и параметры, особенно V_GE и тепловые характеристики.

Если нужна дополнительная информация по заменам или datasheet — уточните!