IGBT 2SA200U40

Описание и технические характеристики IGBT 2SA200U40

IGBT 2SA200U40 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Частотные преобразователи
• Индукционный нагрев
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 100 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 200 A) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-264 (аналог TO-3P) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• Infineon: IKW40N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA200U40
• Toshiba: GT200Q321
• Mitsubishi: CM200DU-12NFH

Похожие модели с близкими параметрами:

• IRG4PH40UD (International Rectifier) – 400 В, 40 А
• IXGH40N60C2D1 (IXYS) – 600 В, 40 А
• STGW40H60DF (STMicroelectronics) – 600 В, 40 А

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров и корпуса.

Применение и особенности

• Высокая эффективность в инверторных схемах
• Быстрое переключение с низкими потерями
• Встроенный антипараллельный диод (в некоторых версиях)
• Подходит для жестких условий эксплуатации

Примечание: Перед заменой проверьте распиновку и характеристики в даташите, так как у разных производителей могут быть отличия.