IGBT 2SC2770

IGBT 2SC2770 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, системы управления двигателями и другие силовые электронные устройства.

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 10–15 А (зависит от условий охлаждения)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 50–100 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4–6 В
• Скорость переключения: высокая (типичное время переключения в наносекундном диапазоне)
• Корпус: TO-247 или TO-3P (уточняется по даташиту)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги

Аналоги и совместимые модели могут включать:

• IRG4PC50U (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG20N60A4D (Renesas)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH20N60B (IXYS)

При замене обязательно проверять распиновку, напряжение и токовую нагрузку.

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями

Если у вас есть конкретный даташит или требуется уточнение параметров, укажите производителя, так как 2SC2770 может быть устаревшей или нестандартной маркировкой.