IGBT 6DI120D060

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6DI120D060

Описание:
IGBT-модуль 6DI120D060 — это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль содержит два IGBT с обратными диодами (полумостовая конфигурация) и обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и хорошую тепловую стабильность. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых приложениях.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип модуля | IGBT полумост (2 в 1) | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Ном. ток (I_C при 25°C) | 120 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 240 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,7 В | | Потери на переключение (E_on / E_off) | ~3,5 мДж / 2,5 мДж | | Встроенный диод (FRD) | Да | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,25 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Корпус | 62 мм (тип SEMiX) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналогичные модули от других производителей:

• Infineon – FF600R06ME4
• Mitsubishi – CM600DY-24A
• Fuji Electric – 6MBI120U4H-060
• SEMIKRON – SKM600GB12T4

Альтернативные версии с близкими параметрами:

• 6DI120D060 (оригинал)
• 6DI150D060 (150 А версия)
• 6DI75D060 (75 А версия)

Применение:

• Частотные преобразователи
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Если вам нужны более точные данные (например, графики потерь или параметры диода), уточните модель производителя (Infineon, SEMIKRON и др.), так как характеристики могут немного отличаться в зависимости от бренда.